提高多端口、多沟道浮体存储器性能的操作方法技术

本发明专利技术属于存储器技术领域，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。本发明专利技术中提供了多端口，多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道。本发明专利技术提供了一种90nm及以下节点多沟道嵌入式动态随机存储器的一种解决方案，可以明显改善器件的操作窗口、数据保持特性、正确率、可靠性等存储特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器
，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。
技术介绍
多端口，多沟道的嵌入式动态随机存储器包括数个存储单元，每个存储单元有η个晶体管(η为自然数，η彡2);多端口、多沟道浮体存储器如附图I所示，这里η = 2，每个存储单元有2个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间共享源区，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道；每个晶体管有I条字线和I条位线；每个晶体管的位线可以与一个输入/输出端口相连；存储单元中的不同晶体管位于同一浮体中，浮体与周围电隔离；不同晶体管的字线位线对彼此独立， 可以同时或分时被选中，进而同时或分时选中相应的不同晶体管，通过相应的端口可以同时或分时进行读取和刷新的存储操作。刷新操作和读操作相互独立，互不影响，外围电路可以随时到存储单元读取数据，以此实现高速读取。这种器件可以用作嵌入式动态随机存储器，能够显著提高读操作的速度，并可通过调整刷新操作的频率满足不同的功耗需求；用于静态随机存取时，能够大大缩小存储单元的面积和功耗。图1(a) (b)分别是多端口、多沟道随机存储器(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多端口、多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，其中n为自然数，n≥2，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道，晶体管的源区、体区和漏区形成双极晶体管结构，即寄生三极管；每个晶体管有1对字线位线对，即1条字线和1条字线；每个晶体管的位线可以与一个输入/输出端口相连；存储单元中的不同晶体管位于同一浮体中，浮体与周围电隔离；通过至少一个端口向所述的浮体中注入载流子或抽取载流子，调节晶体管的阈值电压，达到写入信号的目的；通过一个端口读出或通过多个端口同时读出晶体...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，李慧，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：