具有可变数量的使用写端口的多端口存储器制造技术

一种多端口存储器（10）根据一方法操作。数据通过第一电导（36）从第一端口（位线1）以第一模式写入到存储单元的储存节点（24）。第一模式的特征在于电源电压以第一电平应用在电源节点（VDD）处。数据同时通过第一电导从第一端口和通过第二电导（40）从第二端口（位线0）以第二模式写入到存储单元的储存节点。第二模式的特征在于电源电压以与该第一电平不同的第二电平应用在电源节点（VDD）处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体，更特别地，涉及半导体存储器。
技术介绍
常规存储器位单元需要小量电压以可靠地写数据到这些单元。半导体存储器的发展趋势是缩小存储单元的尺寸以及降低与存储器电路相关联的电压。随着用于写数据到存储单元的写或编程电压减小，写操作的可靠性受到危及。有人使用多个电源电压，其中较高电压用于改善写入裕度(margin)或读取裕度，较低电压用于集成电路上的其他非存储功能。然而，提供多个电源电压的要求是不利的，因为需要额外的集成工作且由于额外的电源轨不能总是得到保证而可能不灵活。此外，可能需要额外的电压调整器以提供较高值的写入或编程电压。因此，常规存储器位单元经常不适于与在先进半导体中使用的所需低电源电压一起可靠地操作。 附图说明本专利技术借助于例子得到示范且不限于附图，附图中相似的附图标记指示相似的元件。图中的元件是为了简单和清楚而如此绘示，并且不一定是按比例绘制的。图I是具有多个写端口的半导体存储器的第一形式的框图，所述多个写端口可以在使用的数量上发生变化；图2是具有选择性用作写端口的读端口的半导体存储器的第二形式的框图；图3和图4是时序图，示出图I的半导体存储器的基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.14 US 12/760,0391.ー种多端ロ存储器，包括 存储单元，具有储存节点； 第一通道晶体管，耦接在该储存节点与第一端ロ之间； 第二通道晶体管，耦接在该储存节点与第二端ロ之间；以及 写入装置，耦接到该第一端口和该第二端ロ以用于当该多端ロ存储器由电源节点处的第一电压供电时，从该第一端口和该第二端ロ之一分别经由该第一通道晶体管和该第二通道晶体管之ー以第一模式写入数据到该储存节点，并且用于当该多端ロ存储器由该电源节点处的与该第一电压不同的第二电压供电时，同时从该第一端口和该第二端ロ经由该第一通道晶体管和该第二通道晶体管以第二模式同时写入数据到该储存节点。2.如权利要求I所述的多端ロ存储器，还包括 读取电路，稱接到该储存节点。3.如权利要求2所述的多端ロ存储器，其中，该写入装置的特征还在于选择性地在该第一端口和该第二端ロ之间进行选择以用于写入数据。4.如权利要求3所述的多端ロ存储器，其中，该写入装置包括第一复用器，该第一复用器具有用于从该第一端ロ接收待写入的数据的第一输入、用于从该第二端ロ接收待写入的数据的第二输入、以及耦接到该第一端ロ的输出。5.如权利要求4所述的多端ロ存储器，其中该写入装置还包括 该第一端ロ具有用于启用该第一通道晶体管的部分； 该第二端ロ具有用于启用该第二通道晶体管的部分；以及 该写入装置还包括第二复用器，该第二复用器具有用于从该第一端ロ的用于启用该第一通道晶体管的部分接收用于该第一通道晶体管的启用信号的第一输入、用于从该第二端ロ的用于启用该第二通道晶体管的部分接收用于该第二通道晶体管的启用信号的第二输入、以及耦接到该第一通道晶体管的输出。6.如权利要求I所述的多端ロ存储器，其中 该存储単元具有第二储存节点； 该多端ロ存储器还包括 第三通道晶体管，耦接在该储存节点与该第一端ロ的互补端ロ之间； 第四通道晶体管，耦接在该储存节点与该第二端ロ的互补端ロ之间；以及所述写入装置耦接到该第一端口和该第二端ロ中的每个的互补端ロ以用于当该多端ロ存储器由该电源节点处的第一电压供电时，从该第一端口和该第二端口中的所述之ー的互补端ロ分别经由该第三通道晶体管或第四通道晶体管以所述第一模式写入数据到该第ニ储存节点，并且用于当该多端ロ存储器由该电源节点处的与该第一电压不同的第二电压供电时，同时从该第一端ロ的互补端口和该第二端ロ的互补端ロ经由...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·C·鲁塞尔，张沙彦，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：
国别省市：