使用可变数据宽度的存储器编程制造技术

一种存储系统包括存储器，该存储器包括排列为一个或多个字的多个位。各个字中的各个位能够被编程为特定的逻辑状态或另一种逻辑状态。可变数据宽度控制器与存储器进行通信。可变数据宽度控制器包括加法器，该加法器用于确定要被编程到存储器中的字中的位的编程数。要被编程的各个位处于所述特定的逻辑状态。分割块在该编程数超过最大值时，将该字分割为两个或更多个子字。开关与分割块进行通信。该开关依次提供一个或多个写入脉冲。各个写入脉冲使能存储器与字和子字之一之间的独立通信路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及非易失性存储器编程。更加具体地讲，本专利技术涉及使得用户能够在不超出编程限制的前提下最优化写入速度的可变写入数据宽度。
技术介绍
相变存储(PCM)装置使用诸如硫族化物的相变材料来存储数据，这些相变材料能够在非晶相和晶相之间稳定变换。非晶相和晶相(或非晶态和晶态)表现出不同的电阻值，用于区分存储装置中存储器单元的不同逻辑状态。具体地说，非晶相表现出相对较高的电阻，而晶相表现出相对较低的电阻。至少一种类型的相变存储装置，PRAM (相变随机存取存储器)，使用非晶态来代表逻辑‘I’，并且使用晶态来代表逻辑‘O’。在PRAM装置中，晶态被称为“设置状态”，而非晶态被称为“复位状态”。由此，PRAM中的存储器单元通过将该存储器单元中的相变材料设置为晶态而存储逻辑‘0’，并且存储器单元通过将该相变材料设置为非晶态而存储逻辑‘I’。PRAM中的相变材料是通过将该材料加热到高于预定熔融温度的第一温度并且随后迅速对该材料进行冷却而被转换为非晶态的。该相变材料是通过以低于熔融温度但高于结晶温度的第二温度对该材料加热一个持续时间段而被转换为晶态的。由此，通过如上所述那样使用加热和冷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.12 US 61/323202;2011.01.18 US 13/0085221.一种对存储器进行编程的方法，包括 确定要被编程到存储器中的字中位的编程数，其中要被编程的各个位处于特定的逻辑状态； 当该编程数超过最大值时，将所述字分割为两个或更多个子字；和 将各个子字依次写入到存储器中。2.根据权利要求I所述的方法，其中对所述字进行分割进一步包括将所述字划分为二的倍数个子字，各个子字包括彼此相同的位数。3.根据权利要求I所述的方法，其中所述特定的逻辑状态是复位状态。4.一种可变数据宽度系统，包括 加法器，确定要被编程到存储器中的字中位的编程数，其中要被编程的各个位处于特定的逻辑状态； 分割块，当编程数超过最大值时将所述字分为两个或更多个子字，各个子字包括彼此相同的位数；和 与分割块通信的开关，该开关依次提供一个或多个写入脉冲，各个写入脉冲使能存储器与字和子字之一之间的独立通信路径。5.根据权利要求4所述的系统，其中加法器包括多个异步加法器。6.根据权利要求4所述的系统，还包括寄存器，该寄存器保持所述编程数直到随后的写入操作完成为止。7.根据权利要求4所述的系统，还包括与分割块进行通信的寄存器，并且该寄存器适合于在其中存储所述最大值。8.根据权利要求7所述的系统，还包括与所述寄存器进行通信的写入驱动器使能器，该写入驱动器使能器响应于所述最大值选择驱动器强度。9.根据权利要求7所述的系统，还包括与所述寄存器进行通信的写入驱动器使能器，该写入驱动器使能器响应于所述最大值选择一个或多个驱动器，所有的所述一个或多个驱动器具有公共的充电泵输入端和公共的驱动器输出端。10.根据权利要求4所述的系统，其中分割块包括在编程数不大于所述最大值时使能全宽度信号的多个组合逻辑门。11.根据权利要求4所述的系统，其中分割块包括在编程数大于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘弘柏，
申请(专利权)人：莫塞德技术公司，
类型：
国别省市：