双感测电流锁存读出放大器制造技术

本发明专利技术提供一种读出放大器及其方法。所述读出放大器包括分别耦合到第一位线及第二位线的第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管及所述第二晶体管经配置以在第一状态(例如，当差动电压存在于所述第一位线及所述第二位线上时且在感测信号转变之前)期间将所述第一位线及所述第二位线连接到差动放大器，且在第二状态(例如，在所述感测信号转变之后)期间将所述第一位线及所述第二位线与所述差动放大器隔离。所述读出放大器进一步包括第三晶体管，所述第三晶体管经配置以在所述第一状态期间减活所述差动放大器且经配置以在所述第二状态期间激活所述差动放大器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所揭示的实施例涉及读出放大器电路及方法。特定来说，所述实施例涉及双感测电流锁存读出放大器。
技术介绍
常规地，存储器装置包括各自存储一数据位的位单元(bit cell)的阵列。每一数据位可表示可对应于所述位单元的状态的逻辑低(“O”)或逻辑高(“I”)。举例来说，在读取操作期间，选定位单元处接近于接地的电压电平可表示逻辑低或“ O ”且较高电压电平可表示逻辑高或“ I ”。多个位线耦合到存储器阵列中的各种位单元，且将所述位单元耦合到用于读取/写入操作中的其它组件。举例来说，在读取操作期间，表示选定位单元的状态的电压/电流可经由耦合到 所述选定位单元的位线来检测。读出放大器可耦合到所述位线以放大差动电压/电流从而辅助确定位单元的逻辑状态。如上文所论述，读出放大器(SA)是用于存储器装置中的操作的基本组件。常用的读出放大器是电流锁存读出放大器(CLSA)。图I说明常规CLSA 100。参看图1，所述CLSA 100包括NMOS晶体管NI到N5、PMOS晶体管Pl到P4以及电容器Cl及C2。所述CLSA 100接收差动输入位线BIT及反相位线BITB、感测信号SENSE，且耦合到电源电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈南，里图·哈巴，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：