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本发明属于存储器技术领域，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。本发明中提供了多端口，多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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