用于刷新以及数据清理存储器件的方法和装置制造方法及图纸

以第一频率对存储器件的相应部分执行至少一次不带有清理的刷新。此外，以小于第一频率的第二频率对存储器件的相应部分执行至少一次带有清理的刷新。从而，执行带有数据清理的刷新操作以避免数据错误累积。此外，还执行不带有数据清理的刷新操作以减少因数据清理所致的过度功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器件的刷新和数据清理(data scrubbing),更具体地,涉及控制带有数据清理的刷新以及不带有数据清理的刷新，以便提高数据完整性而不过度增加功耗。
技术介绍
半导体存储器件已发展成具有不断增加的容量和速度，以便在高性能电子系统中使用。例如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory, DRAM)是易失性存储 器，其根据电容器中存储的电荷量来存储数据。因为这样存储的电荷会随时间泄漏，所以执行对数据再充电的刷新操作以避免数据丢失。半导体存储器件被广泛用于诸如膝上型计算机、移动电话等等的移动设备。因此，期望减小半导体存储器件的功耗。然而，诸如DRAM的动态存储器件的刷新操作增大了待机功耗。此外，DRAM中用于存储电荷的电容随DRAM集成度的增加而减小，这导致数据可靠性降低。
技术实现思路
因此，执行带有数据清理的刷新操作以避免数据错误累积。此外，还执行不带有数据清理的刷新操作以减少过度功耗。在根据本专利技术一方面的刷新存储器件的方法中，对存储器件的相应部分执行至少一次不带有清理的刷新。此外，对存储器件的相应部分执行至少一次带有清理的刷新。根据本专利技术的示例实施例，对于存储器件的一部分，以第一频率对其执行不带有清理的刷新，并且以小于第一频率的第二频率对其执行带有清理的刷新。在本专利技术的另一个示例实施例中，不带有清理的刷新与带有清理的刷新在时间上交替。在本专利技术另外的示例实施例中，所述至少一次不带有清理的刷新的第一数量高于所述至少一次带有清理的刷新的第二数量。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个带有清理的刷新在多个不带有清理的刷新之间执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的第一类型刷新命令而执行。此外，每个带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的第二类型刷新命令而执行。例如，每个不带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的自动刷新命令或自刷新命令而执行。并且，在该示例情况中，每个带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的特殊刷新和清理命令而执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，当生成了特殊刷新和清理命令时，对存储器件的至少两个子页中的每一个顺序地执行相应的带有清理的刷新。此外，在该情况中，在对存储器件的这些子页执行带有清理的刷新之后，对所述子页执行预充电。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的第一类型刷新命令而执行，并且每个带有清理的刷新响应于从刷新命令计数器生成的刷新和清理命令而执行。在这种情况下，例如，生成刷新和清理命令的周期是生成第一类型刷新命令的周期的2"倍，其中η是自然数。 在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新响应于自刷新命令而执行，并且每个带有清理的刷新根据响应于自刷新命令生成的内部刷新命令的计数而执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，对存储器件执行的至少一次不带有清理的刷新的第一总数量大于对存储器件执行的至少一次带有清理的刷新的第二总数量。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个带有清理的刷新或不带有清理的刷新针对存储单元的对应页而执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新针对存储单元的对应页而执行，并且每个带有清理的刷新针对存储单元的对应子页而执行。根据本专利技术的另一方面，存储器件中的刷新管理单元包括第一计数器和第二计数器。第一计数器用于控制对存储器件相应部分的至少一次不带有清理的刷新的执行。第二计数器用于控制对存储器件相应部分的至少一次带有清理的刷新的执行。在本专利技术的示例实施例中，刷新管理单元包括页计数器和刷新命令计数器。页计数器是第一计数器，用于生成对其执行不带有清理的刷新的刷新地址。刷新命令计数器是第二计数器，用于控制带有清理的刷新和不带有清理的刷新的定时。在本专利技术的另外的示例实施例中，刷新管理单元包括页段计数器(page segmentcounter),用于生成对其执行带有清理的刷新的子页的地址。例如，每个不带有清理的刷新针对存储单元的对应页而执行，并且每个带有清理的刷新针对存储单元的对应子页而执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，页计数器以第一频率生成对其执行不带有清理的刷新的刷新地址。此外，页段计数器以小于第一频率的第二频率生成对其执行带有清理的刷新的子页地址。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新响应于自刷新命令执行。此外，每个带有清理的刷新根据刷新命令计数器执行，该刷新命令计数器对响应于自刷新命令生成的内部刷新命令进行计数。在本专利技术的另外的示例实施例中，不带有清理的刷新与带有清理的刷新在时间上交替。在本专利技术另外的示例实施例中，所述至少一次不带有清理的刷新的第一数量高于所述至少一次带有清理的刷新的第二数量。例如，每个带有清理的刷新在多个不带有清理的刷新之间执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的第一类型刷新命令而执行。此外，每个带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的第二类型刷新命令而执行。例如，每个不带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的自动刷新命令或自刷新命令而执行。此外，在所述情况中，每个带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的特殊刷新和清理命令而执行。在本专利技术的另外的示例实施例中，当生成了特殊刷新和清理命令时，对存储器件的至少两个子页中的每一个顺序地执行相应的带有清理的刷新。在该情况中，在对存储器件的这些子页执行带有清理的刷新之后，对子页执行预充电。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个不带有清理的刷新响应于从存储控制器生成的第一类型刷新命令而执行。每个带有清理的刷新响应于从刷新命令计数器生成的刷新和清理命令而执行。 在本专利技术的另外的示例实施例中，生成刷新和清理命令的周期是生成第一类型刷新命令的周期的2"倍，其中η是自然数。在本专利技术的另外的示例实施例中，对存储器件执行的至少一次不带有清理的刷新的第一总数量大于对存储器件执行的至少一次带有清理的刷新的第二总数量。在本专利技术的另外的示例实施例中，每个带有清理的刷新或不带有清理的刷新针对存储单元的对应页执行。根据本专利技术的方面的存储器件包括单元阵列以及根据本专利技术上述示例实施例的刷新管理单元。这样的存储器件可以用于存储模块、存储系统或计算机系统中。附图说明当参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例时，本专利技术的上述及其他示例方面将变得更加清楚，附图中图I是根据本专利技术的实施例的具有刷新操作的半导体存储器件、存储模块和存储系统的框图；图2Α是根据本专利技术的示例实施例的图I中的动态随机存取存储器(DRAM)芯片的框图，并且图2Β图示了根据本专利技术的示例实施例的增加自动刷新周期(auto refreshcycle)的示例；图3是根据本专利技术的示例实施例的存储系统的框图，该存储系统将自动刷新周期信息存储在至少一个DRAM芯片中；图4是根据本专利技术的示例实施例的存储系统的框图，该存储系统将自动刷新周期信息存储在存储模块的串行存在检测(serial presence detect，SPD)器件中；图5是根据本专利技术的示例实施例的用于根据自动刷新周期信息执行刷新操作的步骤的流程图；图6是根据本专利技术的示例实施例的半导体存储器件的框图，该半导体存储器件具有用于刷新和清理操作的多个计数器；图7是图示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刷新存储器件的方法，包括：对存储器件的相应部分执行至少一次不带有清理的刷新；以及对存储器件的相应部分执行至少一次带有清理的刷新。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜郁成，柳鹤洙，朴哲佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：