控制易失性存储器中的刷新的方法和系统技术方案

本发明专利技术提供一种用于控制存储器刷新的存储器系统。所述存储器系统的一实施例包含：一存储器，其经配置以在一自刷新模式和一自动刷新模式下操作，所述存储器具有复数个存储位置；和一存储器控制器，其经配置以在所述自动刷新模式下在所述存储位置中的一第二者正在刷新的同时存取所述存储位置中的一第一者。所述存储器系统的另一实施例包含一可将其自刷新地址传送到所述存储器控制器的存储器。又一实施例包含一可将一自动刷新地址传送到一存储器的存储器控制器。

【技术实现步骤摘要】

·本揭示案大体上涉及存储器装置，且更明确地说涉及控制动态易失性存储器中的刷新的方法和系统。
技术介绍
动态易失性存储器是通常构造为许多阵列(或库(bank))的存储媒介。每一库进一步以行和列排列成“存储器单元”的矩阵，每一列进一步被存储器的输入/输出(I/o)宽度划分。存储器内的位置由库、行和列唯一指定。存储器控制器可用于通过指示数据的库、行和列位置来从存储器中检索数据。在动态易失性存储器(易失性存储器)的情况下，每一单元必须被周期性刷新或再供能以便维持数据完整性。因为单元随着时间而放电，所以其必须被刷新。刷新是对存储器中的单元进行再充电或再供能的过程。通常以一次一行的方式刷新单元。当前存在许多经设计以刷新易失性存储器的方法。这些方法中的一些(如果不是全部的话)导致性能和/或功率方面的高成本。举例来说，存在许多通常用于控制现代数字系统中易失性存储器的刷新的常见方法或技术。一种通常称为自刷新的方法依靠存储器来控制将对期望的行和库执行的刷新操作的定时；另一种通常称为自动刷新的方法依靠存储器控制器来控制将对期望的行和库执行的刷新操作的定时。然而，利用这两种方法，存储器控制器和存储器没有任何方法向彼此传达关于将要刷新的行和库的信息。在自刷新方法下，存储器利用其自身的内部刷新时钟和存储在内部刷新地址寄存器中的刷新地址来控制刷新操作。在不将数据写入到存储器或从存储器检索数据(闲置状态)的时期期间，存储器控制器可将存储器置于自刷新模式下。在自刷新模式下，存储器使用其自身的内部刷新机制来刷新存储器的行并控制内部刷新地址寄存器。自刷新模式有益于在闲置状态期间节省功率，因为自刷新模式使用相对较少量的功率。由于需要的功率量较少，所以这种方法通常用于低功率应用。然而，这种方法在活动周期期间无效，因为为了将要执行的刷新循环而完全中断对存储器的存取(即，所有行均关闭)。在存储器的现行使用期间通常使用自动刷新方法。在自动刷新模式下，存储器控制器提供自动刷新命令，存储器将使用所述自动刷新命令来执行刷新操作。存储器使用其内部刷新地址寄存器中的刷新地址来确定对哪一行/库执行刷新循环，并基于由存储器控制器提供的自动刷新命令而循环经过相关行。类似地，当存储器进入自动刷新状态时，存储器控制器必须关闭对所有库的存取，因为存储器控制器不知道哪一库即将被存储器刷新。因此，将需要提供更有效的方法和系统来刷新易失性存储器，所述方法和系统能够在维持低功率预算的同时实现较高性能。
技术实现思路
在一个实施例中，存储器系统包含存储器，其经配置以在自刷新模式和自动刷新模式下操作，所述存储器具有复数个存储位置；和存储器控制器，其经配置以在自动刷新模式下在所述存储位置中的第二者正刷新的同时存取所述存储位置中的第一者。一方面，提供一种具有自刷新模式和自动刷新模式的刷新存储器的方法，所述存储器具有复数个存储位置，所述方法包括提供存储器控制器，所述存储器控制器当在自动 刷新模式下操作时在所述存储位置中的第二者正被刷新的同时，对于存储器中的所述存储位置中的第一者进行存取。在另一实施例中，经配置以在自刷新模式和自动刷新模式下操作的存储器包含复数个存储库，所述复数个存储库经配置使得在自动刷新模式下外部装置可在所述存储库中的第二者中的复数个存储位置中的一个或一个以上存储位置正被刷新的同时存取所述存储库中的第一者。在又一实施例中，提供一种经配置以在自动刷新模式和自刷新模式下控制具有复数个存储库的存储器之存储器控制器，所述存储器控制器包括地址队列，其经配置以存储用于存取所述存储器的存储地址；和刷新地址逻辑，其经配置以从所述地址队列接收针对存储库中的第一者的存储地址和针对存储库中的第二者的刷新地址，所述刷新地址逻辑经进一步配置以在自动刷新模式下在存储库中的第一者不同于存储库中的第二者时将来自地址队列的存储地址提供给存储器。应了解，所属领域的技术人员从以下详细描述中将容易了解本专利技术的其它实施例，其中以说明的方式展示并描述本专利技术的各种实施例。如将了解，本专利技术能够存在其它且不同的实施例，且其若干细节能够在各个其它方面存在修改，所有这些都不脱离本专利技术的精神和范围。因此，附图和具体实施方式将被视为本质上是说明性的而不是限定性的。附图说明附图中以举例的方式而不是以限定的方式说明本专利技术的各方面，其中图I是说明具有存储器控制器的易失性存储器的一个实施例的简化示意图；图2是说明易失性存储器的寄存器的内容的简化示意图；图3A和3B分别是进一步说明图I所示的易失性存储器和存储器控制器的实施例的简化示意图；图4是说明具有存储器控制器的易失性存储器的另一实施例的简化示意图；且图5A和5B分别是进一步说明图4所示的易失性存储器和存储器控制器的实施例的简化示意图。具体实施例方式以下结合附图陈述的详细描述内容希望作为对本专利技术各种实施例的描述，且不希望代表可在其中实践本专利技术的仅有的实施例。所述详细描述内容为了提供对本专利技术的详尽理解的目的而包含特定细节。然而，所属领域的技术人员将了解，可在没有这些特定细节的情况下实践本专利技术。在一些情况下，为了避免混淆本专利技术的概念，以方框图形式展示众所周知的结构和组件。图I说明具有存储器控制器16的易失性存储器10的一个实施例。易失性存储器10可为(例如)DRAM(动态随机存取存储器)、SDRAM(同步DRAM)和各种其它类型的DRAM等。易失性存储器10可进一步包含若干存储库18、内部刷新地址寄存器12和可读寄存器14。内部刷新地址寄存器12用于存储存储库18内将要刷新的目标位置的刷新地址(即，行地址12a和库地址12b)。可读寄存器14可由存储器控制器16存取，且可为任何类型的寄存器，包含(例如)模式寄存器、扩展模式寄存器或经配置以存储刷新地址的单独寄存器。模式寄存器和扩展模式寄存器为可编程的且用于存储与易失性存储器10有关的操作 信息，例如输入/输出驱动强度、CAS(列地址选通)等待时间设定、脉冲长度设定等。这些操作信息由存储器10和存储器控制器16使用以实现各种功能，包含(例如)界定操作模式、发信号和数据选通功能以及功率节省特征。在一个实施例中，存储在刷新地址寄存器12中的库地址12b被检索并载入到存储器10的可读寄存器14中。图2说明易失性存储器10的扩展模式寄存器的内容。如图2所示，库地址12b现也存储在扩展模式寄存器14中。通过将刷新地址寄存器12的库地址12b添加到可读寄存器14，易失性存储器10的存储器控制器16接着可在上电序列之后和每当存储器10离开自刷新时读取库地址12b。通过知道刷新地址寄存器12正指向的库地址12b，存储器控制器16只须基于库地址12b对存储库18中的目标位置或库进行预充电来进行自动刷新，而不是对存储器10中的所有存储库18进行预充电。也就是说，只有由库地址12b识别的一个库需要关闭。相反，这意味着存储库18中的其它库保持可用，这允许存储器控制器16在正对目标库执行自动刷新循环的同时继续随意存取这些其它库。图3A和3B分别进一步说明图I所示的易失性存储器10和存储器控制器16的实施例。如图3A和3B中所示，存储器控制器16可包含地址队列30、刷新地址逻辑32和刷新时钟34 ;且存储器10可包含寄存器36、刷新地址寄存器38、多路复用器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器系统，其包括：一存储器，其经配置以在一自刷新模式和一自动刷新模式下操作，所述存储器具有多个存储位置；和一存储器控制器，其经配置以在所述自动刷新模式下在所述存储位置中的一第二者正刷新的同时存取所述存储位置中的一第一者，其中所述存储器包括多个存储库，所述存储位置中的所述第一者位于所述存储库的一第一者中，且所述存储位置中的所述第二者位于所述存储库的一第二者中，其中所述存储器进一步包括一刷新地址寄存器，其经配置以在所述自刷新模式下依次经过多个存储地址，所述存储地址的每一者对应于将要在所述自刷新模式下刷新的所述存储位置中的一者，且其中所述存储器控制器对所述刷新地址寄存器进行存取，其中所述存储器进一步包括一耦合到所述刷新地址寄存器的可读寄存器，所述存储器控制器通过所述可读寄存器对所述刷新地址寄存器进行存取。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·迈克尔·沃克，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：