【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路存储
，特别涉及一种NAND FLASH坏块管理系统及方法。
技术介绍
FLASH，是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除掉就会清除掉整颗芯片上的数据。闪存是非易失性的存储器。这表示单就保存数据而言，它是不需要消耗电力的。与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中，每个单元只存储I比特的信息。而多阶存储单元(Mult1-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储I比特以上的数据。NOR型闪存内部记忆单元以平行方式连接到比特线，允许个别读取与程序化记忆单元。这种记忆单元的平行连接类似于CMOS NOR闸中的晶体管平行连接。NOR型闪存面世后，成为比现有的...
【技术保护点】
一种NAND FLASH坏块管理系统，其特征在于，包括NAND FLASH接口控制单元、坏块管理单元、非易失性存储器接口控制单元和非易失性存储器，所述NAND FLASH接口控制单元连接NAND FLASH阵列，所述NAND FLASH接口控制单元连接坏块管理单元，所述坏块管理单元通过非易失性存储器接口控制单元连接非易失性存储器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周仕成，殷科军，舒汀，唐斌，郁文贤，黄飞，
申请(专利权)人：上海交通大学，上海无线电设备研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。