随机存取存储器及其刷新控制器制造技术

本发明专利技术提出一种随机存取存储器及其刷新控制器。其中，刷新控制器包括写入动作侦测器、闩锁器、重置电路及刷新动作屏蔽器。写入动作侦测器耦接随机存取存储器的地址译码器，用于侦测地址译码器所属的地址是否发生写入动作而产生侦测结果。闩锁器耦接写入动作侦测器，用以接收并闩锁侦测结果。重置电路耦接闩锁器，并接收重置控制信号，依据重置控制信号以重置侦测结果。刷新动作屏蔽器耦接地址对应的字符线控制电路以及闩锁器，并用以依据侦测结果来屏蔽字符线控制电路的刷新动作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种刷新控制器及一种随机存取存储器。
技术介绍
在已知的动态随机存取存储器中，需针对例如来自存储器重器所发送的刷新指令，来对其中一个或多个存储区块进行刷新动作以补充新的电荷。并且，必须在固定时间内完成所有存储区块的刷新动作，否则就有相当大的可能性会遗失资料。另外，在低耗能存储器的需求下，已知技术也提出只对有存取资料的存储器区块刷新，以减少进行刷新动作所消耗的能量。然而，这种已知技术的刷新动作，在当一存储区块中只要有一小部分有储存资料，其整个存储区块都必须被刷新，会产生很大的电量消耗。
技术实现思路
本专利技术提供一种刷新控制器，用以降低刷新动作时所产生的耗能。本专利技术另提供一种随机存取存储器，用以降低刷新动作时所产生的耗能。本专利技术提出一种刷新控制器，适用于随机存取存储器。刷新控制器包括写入动作侦测器、闩锁器、重置电路及刷新动作屏蔽器。写入动作侦测器耦接随机存取存储器的地址译码器，用于侦测地址译码器所属的地址是否发生写入动作而产生侦测结果。闩锁器耦接写入动作侦测器，用以接收并闩锁侦测结果。重置电路耦接闩锁器，并接收重置控制信号，依据重置控制信号以重置侦测结果。刷新动作屏蔽器耦接地址对应的字符线控制电路以及闩锁器，并用以依据侦测结果来屏蔽字符线的刷新动作。本专利技术另提出一种随机存取存储器，其具有多条字符线，并且随机存取存储器包括多个刷新控制器。其中，刷新控制器包括写入动作侦测器、闩锁器、重置电路及刷新动作屏蔽器。写入动作侦测器耦接随机存取存储器的地址译码器，用于侦测地址译码器所属的地址是否发生写入动作而产生侦测结果。闩锁器耦接至写入动作侦测器，用以接收并闩锁侦测结果。重置电路耦接闩锁器，接收重置控制信号，依据重置控制信号以重置侦测结果。刷新动作屏蔽器耦接各地址对应的各字符线控制电路以及闩锁器用以依据侦测结果来屏蔽各字符线的刷新动作。基于上述，本专利技术供一种刷新控制器及一种随机存取存储器。其中，刷新控制器通过侦测字符线上所属的存储单元是否发生过写入的动作，来作为是否对字符线上的存储单元进行刷新的依据。并由此降低随机存取存储器在进行刷新动作时所产生的电量消耗。附图说明为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下，其中:图1A绘示本专利技术一实施例的刷新控制器100的功能方块图。图1B绘示本专利技术一实施例的刷新控制器100的电路示意图。图2绘示本专利技术一实施例的随机存取存储器200的示意图。具体实施例方式图1A绘示本专利技术一实施例的刷新控制器100的方块图。请参照图1A，刷新控制器100耦接随机存取存储器的字符线控制电路160，并根据字符线控制电路160所对应的随机存取存储器的存储单元是否曾资料写入，以判断是否屏蔽字符线控制电路160对存储单元执行刷新指令。刷新控制器100包括写入动作侦测器110、闩锁器120、刷新动作屏蔽器130、感测放大器控制器140及重置电路150。写入动作侦测器110耦接随机存取存储器的地址译码器180，用于侦测地址译码器180所属的地址是否发生写入动作而产生侦测结果DETR0闩锁器120耦接写入动作侦测器110，用以接收并闩锁侦测结果DETR。重置电路150耦接闩锁器120，接收重置控制信号RST，并依据重置控制信号RST以重置侦测结果DETR。也就是说，在刷新控制器100所属的随机存取存储器给电(poweron)的初期或是在操作过程中要对随机存取存储器进行初始化时，可通过重置电路150对侦测结果DETR重置。当接收到重置控制信号RST时，重置电路150会将闩锁器120所储存的侦测结果DETR清除为例如逻辑低电平信号。刷新动作屏蔽器130耦接至字符线控制电路160以及闩锁器120。刷新动作屏蔽器130接收闩锁器120所储存的侦测结果DETR，并依据侦测结果DETR来屏蔽字符线控制电路160的刷新动作。意思是说，当地址对应的字符线控制电路160发出刷新执行指令时，刷新动作屏蔽器130会根据闩锁器120所储存的侦测结果DETR来判断字符线控制电路160所产生的字符线bMWL所对应的存储单元是否需要刷新。其中，当字符线bMWL为逻辑O的低电平时，则字符线bMWL被致能以执行刷新指令。当字符线bMWL为逻辑I的高电平时，则字符线bMWL被禁能，并且不执行刷新指令。因此，若不需要执行刷新，刷新动作屏蔽器130则屏蔽字符线控制电路160，并且在字符线bMWL上产生禁能的字符线信号，进以屏蔽对字符线bMWL上的存储单元执行刷新指令。另外，刷新控制器100还包括感测放大器控制器140。感测放大器控制器140耦接至闩锁器120，用以接收并依据闩锁器120所储存的侦测结果DETR以禁能或致能字符线控制电路160对应的感测放大器170。例如，感测放大器控制器140是依据闩锁器120所储存的侦测结果DETR来决定所产生的感测放大器启动信号SA_DISABLE的逻辑电压电平。其中，当感测放大器启动信号SA_DISABLE为逻辑O的低电平时，感测放大器启动信号SA_DISABLE为致能状态，以启动感测放大器170。当感测放大器启动信号SA_DISABLE为逻辑I的高电平时，感测放大器启动信号SA_DISABLE为禁能状态，并停止感测放大器170。因此，当闩锁器120所储存的侦测结果DETR指示位线bMWL上的存储单元未曾被写入资料时，感测放大器控制器140产生例如逻辑高电平的感测放大器启动信号SA_DISABLE以使感测放大器170停止动作。相对的，当闩锁器120所储存的侦测结果DETR指示字符线bMWL上的存储单元曾被写入资料时，感测放大器控制器140产生例如逻辑低电平的感测放大器启动信号SA_DISABLE以启动感测放大器170。附带一提的，上述范例的感测放大器启动信号SA_DISABLE的逻辑高低电平与感测放大器170启动与否的关系仅只是一个范例。本领域具通常知识者皆知，感测放大器启动信号SA_DISABLE的逻辑高低电平与感测放大器170起动与否的关系是可以由设计者依实际需求来进行定义的。请参照图1B，图1B绘示本专利技术实施例的刷新控制器100的电路示意图。通过字符线控制电路160，刷新控制器100可控制是否要对字符线bMWL产生致能的字符线信号。其中，字符线控制电路160包括P型晶体管PMl及PM2、N型晶体管匪I及匪2、缓冲器NI及N2。字符线控制电路160接收来自地址译码器180的译码信号以输出写入信号bRDIN及感测写入信号RDIN，并通过缓冲器NI及N2在字符线bMWL上产生禁/致能的字符线信号。在关于刷新控制器100的动作细节部分，其中的写入动作侦测器110包括晶体管WMl及WM2。晶体管WMl具有第一端(例如源极)、第二端(例如漏极)以及控制端(例如栅极)。晶体管丽I第一端接收电源电压VI，并且控制端接收写入信号bRDIN。晶体管丽2具有第一端(例如源极)、第二端(例如漏极)以及控制端(例如栅极)。晶体管WM2的第一端耦接晶体管WMl的第二端，晶体管WM2的控制端接收刷新启动信号REF_ACT，晶体管WM2的第二端产生侦测结果DETR。当对位线bMWL的存储单元进行资料写入时，写入信号bRDIN会被下拉至低电平并且使得P型的晶体管WMl导通。由于此时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刷新控制器，适用于一随机存取存储器，包括：一写入动作侦测器，耦接该随机存取存储器的一地址译码器，用于侦测该地址译码器所属的一地址是否发生一写入动作而产生一侦测结果；一闩锁器，耦接该写入动作侦测器，用以接收并闩锁该侦测结果；一重置电路，耦接该闩锁器，接收一重置控制信号，依据该重置控制信号以重置该侦测结果；以及一刷新动作屏蔽器，耦接该地址对应的一字符线控制电路以及该闩锁器，用以依据该侦测结果来屏蔽对该字符线所进行的刷新动作。

【技术特征摘要】
1.一种刷新控制器，适用于一随机存取存储器，包括: 一写入动作侦测器，耦接该随机存取存储器的一地址译码器，用于侦测该地址译码器所属的一地址是否发生一写入动作而产生一侦测结果； 一闩锁器，耦接该写入动作侦测器，用以接收并闩锁该侦测结果； 一重置电路，耦接该R锁器，接收一重置控制信号，依据该重置控制信号以重置该侦测结果；以及 一刷新动作屏蔽器，耦接该地址对应的一字符线控制电路以及该闩锁器，用以依据该侦测结果来屏蔽对该字符线所进行的刷新动作。2.按权利要求1所述的刷新控制器，其中还包括: 一感测放大器控制器，耦接该R锁器，接收并依据该侦测结果以禁能或致能该字符线所属的一感测放大器。3.按权利要求2所述的刷新控制器，其中该感测放大器控制器耦接至一感测放大器启动信号，该感测放大器控制器包括: 一第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至该感测放大器启动信号，其控制端耦接该字符线控制电路；以及 一第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至该第一晶体管的第二端，其控制端接收该侦测结果，其第二端耦接至一接地电压。4.按权利要求1所述的刷新控制器，其中该写入动作侦测器包括: 一第一晶体管，具有第 一端、第二端以及控制端，其第一端接收一电源电压，其控制端接收一写入信号；以及 一第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接该第一晶体管的第二端，其控制端接收一刷新启动信号，该第二晶体管的第二端产生该侦测结果。5.按权利要求1所述的刷新控制器，其中该闩锁器包括: 一第一反向器，其输出端接收该侦测结果；以及 一第二反向器，其输入端I禹接至该第一反向器的输出端，其该第二反向器的输出端率禹接至该第一反向器的输入端。6.按权利要求1所述的刷新控制器，其中该重置电路包括: 一下拉晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收该侦测结果，其控制端接收该重置控制信号，其第二端接收一接地电压。7.按权利要求1所述的刷新控制器，其中该刷新动作屏蔽器包括: 一晶体管开关，耦接于与该字符线耦接的一缓冲器上，该晶体管开关受控于该侦测结果，并依据该侦测结果以导通或切断一电源电压或一接地电压的至少其中之一以提供至该缓冲器的路径。8.一种随机存取存储器，具有多条字符线，包括: 多个刷新控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜盈德，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：