一种冗余结构动态随机访问存储单元制造技术

本发明专利技术提出一种冗余结构动态随机访问存储单元，包括：写开关管、存储管、读开关管、冗余开关管、冗余存储管，第一、第二动态漏电补偿管，其中，写开关管、冗余开关管栅极受写入时序控制，漏极与写入位线相连，源极分别与存储管、冗余存储管栅极相连，存储管、冗余存储管栅极存储信息，源极接地，漏极都与读开关管漏极相连，读开关管栅极受读出时序控制，源极与读出位线相连，第一动态漏电补偿管栅极与冗余存储管栅极相连，源极与存储管栅极相连，漏极受动态补偿电压控制，第二动态漏电补偿管栅极与存储管栅极相连，源极与冗余存储管栅极相连，漏极受动态补偿电压控制。本发明专利技术的单元面积小、低功耗且与商用工艺兼容，能够克服软错误。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及动态随机访问存储单元，具体涉及一种冗余结构动态随机访问存储单J Li ο
技术介绍
DRAM (Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器，由于其密度和速度，DRAM作为存储器中最为常见的系统内存。然而在封装过程中一些微量放射性元素所放射出的高能粒子会影响存储电容中的储存电荷而改变储存资料。相对于元件因为绝缘层破坏或是导线短路而造成永久性故障的硬错误(Hard Error),由于这种因为高能粒子撞击而影响电容电荷的情形并非永久性破坏，因此这种破坏模式称为软错误(Soft Error).对于高容量DRAM而言，由于元件越来越小，电容的储存电荷量也越来越小，因此soft error的问题越来越严重,因此如何改善softError的问题将是提高DRAM集成度最大的挑战之一。随着空间技术的快速发展，越来越多的DRAM器件被应用到各类航天器和卫星的控制系统中。在空间辐射环境中，高能粒子(质子、中子、α粒子和其他重离子)引起的存储电路中的单粒子翻转(Single EventUpset, SEU),是各种航天器面临的最主要的可靠性问题之一。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冗余结构动态随机访问存储单元，其特征在于，包括：写控制开关管（M1）、存储管（M2）、读控制开关管（M3）、冗余开关管（M4）、冗余存储管（M5），第一动态漏电补偿管（MD1）以及第二动态漏电补偿管（MD2），其中，所述写控制开关管（M1）、所述冗余开关管（M4）栅极受写入时序（WWL）控制，漏极与写入位线（WBL）相连，源极分别与所述存储管（M2）、所述冗余存储管（M5）栅极相连，所述存储管（M2）、所述冗余存储管（M5）栅极与分别与所述写控制开关管（M1）、所述冗余开关管（M4）源极相连存储信息，源极接地，漏极都与所述读控制开关管（M3）漏极相连，所述读控制开关管（M3）栅极受读出时序...

【技术特征摘要】
1.一种冗余结构动态随机访问存储单元，其特征在于，包括: 写控制开关管(Ml)、存储管(M2)、读控制开关管(M3)、冗余开关管(M4)、冗余存储管(M5)，第一动态漏电补偿管(MDl)以及第二动态漏电补偿管(MD2)， 其中，所述写控制开关管(Ml )、所述冗余开关管(M4)栅极受写入时序(WffL)控制，漏极与写入位线(WBL)相连，源极分别与所述存储管(M2)、所述冗余存储管(M5)栅极相连， 所述存储管(M2)、所述冗余存储管(M5)栅极与分别与所述写控制开关管(Ml)、所述冗余开关管...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘立阳，刘雪梅，伍冬，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：