一种冗余结构存储单元制造技术

本发明专利技术提出一种冗余结构存储单元，包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管；第一存储管、第二存储管、第三存储管和第四存储管；以及第一动态漏电补偿管、第二动态漏电补偿管、第三动态漏电补偿管和第四动态漏电补偿管。本发明专利技术与传统的6管静态随机访问存储单元相比，漏电补偿NMOS管取代原有PMOS管，降低发生软错误概率，同时增加了存储信息的冗余节点和反馈通路，当任意单个节点翻转时，本发明专利技术能够自行通过冗余节点的信息恢复，具有良好的抗软错误能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储单元，具体涉及ー种冗余结构存储单元。
技术介绍
SRAM (Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器，其具有较高的性能，SRAM作为半导体存储器大家族的主要成员，是世界上应用最广泛的存储器，它是数字处理、信息处理、自动控制设备中不可缺少的部件。在深亚微米エ艺条件下，芯片内部可变性日益増加，电源电压VDD日渐降低，使得SRAM存储单元稳定性受到一定影响，并且随着器件尺寸等比例縮小，芯片集成度升高，封装密度上升，这ー系列的变化都会导致ー些意想不到的问题，使得半导体存储器件的可靠性变差。例如，高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误(Soft Error)问题正日益受到关注。随着空间技术的快速发展，越来越多的SRAM器件被应用到各类航天器和卫星的控制系统中。在空间辐射环境中，高能粒子(质子、中子、a粒子和其他重离子)轰击微电子电路的敏感区时会引发单粒子效应(Single Event Effect, SEE)。福射效应可能会引起电路工作的瞬时扰动，可能会改变电路的逻辑状态，甚至引起器件和集成电路的永久损伤。这种由于粒子轰击时产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冗余结构存储单元，其特征在于，包括：第一开关管（M1）、第二开关管（M5）、第三开关管（M4）和第四开关管（M8）；第一存储管（M2）、第二存储管（M6）、第三存储管（M3）和第四存储管（M7）；以及第一动态漏电补偿管（MD1）、第二动态漏电补偿管（MD2）、第三动态漏电补偿管（MD3）和第四动态漏电补偿管（MD4），其中，所述第一开关管（M1）、所述第二开关管（M5）栅极受字线（WL）控制，漏极与位线（BL）相连，所述第一开关管（M1）源极分别与所述第三存储管（M3）、所述第四存储管（M7）栅极相连，所述第二开关管（M5）源极与所述第二存储管（M6）漏极相连，所述第一存储管（M2）、所述...

【技术特征摘要】
1.一种冗余结构存储单元，其特征在于，包括 第一开关管(Ml)、第二开关管(M5)、第三开关管(M4)和第四开关管(M8)； 第一存储管(M2)、第二存储管(M6)、第三存储管(M3)和第四存储管(M7)； 以及第一动态漏电补偿管(MD1)、第二动态漏电补偿管(MD2)、第三动态漏电补偿管(MD3)和第四动态漏电补偿管(MD4)，其中， 所述第一开关管(Ml)、所述第二开关管(M5)栅极受字线(WL)控制，漏极与位线(BL)相连，所述第一开关管(Ml)源极分别与所述第三存储管(M3)、所述第四存储管(M7)栅极相连，所述第二开关管(M5)源极与所述第二存储管(M6)漏极相连， 所述第一存储管(M2)、所述第二存储管(M6)栅极都与所述第三开关管(M4)源极相连，所述第三存储管(M3)漏极与所述第三开关管(M4)源极相连，所述第四存储管(M7)漏极与所述第四开关管(M8)源极相连，源极都接地， 所述第三存储管(M3)、所述第四存储管(M7)栅极都与所述第一开关管(Ml)源极相连，所述第一存储管(M2)漏极与所述第一开关管(Ml)源极相连，所述第二存储管...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘立阳，刘雪梅，伍冬，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：