刻蚀烘烤设备的反应炉制造技术

本发明专利技术提供了一种刻蚀烘烤设备的反应炉，所述反应炉包括反应室组件、加热组件以及冷却组件，其中，所述反应室组件包括反应罩，所述反应罩上设有通气管，反应气体通过所述通气管输入到反应罩内部；所述加热组件包括红外灯管组件，所述红外灯管组件设置在所述反应罩外侧；所述冷却组件包围所述加热组件设置。采用根据发明专利技术的反应炉，可以使反应炉可以使反应腔内的温度稳定均匀、加热反应周期短，从而延长石墨盘的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种刻蚀烘烤设备的反应炉，尤其涉及一种氯气刻蚀烘烤设备的反应炉，用于清除MOCVD外延工艺生长后沉积在石墨盘表面的氮化镓等残留物，并可以用于清除外延片衬底表面的外延层。
技术介绍
金属有机化学气相沉积设备(简称MOCVD)以热分解反应方式在衬底上进行化学沉积反应，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，石墨盘作为衬底的承载平台，在该反应过程中会有多余的化学反应残留物沉积在石墨盘表面上，假如不加以清除，必然会在新的一炉外延片生长过程中影响对应的温度控制、表面颗粒等，并最终影响到外延片生长的成品率。另外在外延片生长过程中，会有大量的衬底片因生长不出质量合格的外延片而报废，因没有专业的外延衬底片刻蚀设备，无法对这些不合格的外延片上的外延层化学沉积物进行有效地刻蚀，无法对该类衬底片进行重复利用，造成大量的成本浪费和损失。目前市场上还没有对于MOCVD和外延片进行刻蚀、清洁的专用设备，目前业内使用的石墨盘清洁方法通常采用真空烧结炉进行长时间高温烘烤的方式，存在单炉次烘烤的时间比较长(单炉次约14小时)，烘烤温度太高(最高温度约1400度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀烘烤设备的反应炉（10），所述反应炉包括反应室组件（100）、加热组件（200）以及冷却组件，其特征在于，所述反应室组件（100）包括反应罩（110），所述反应罩（110）上侧设有通气管（111），反应气体通过所述通气管（111）输入到所述反应罩（110）内部；所述加热组件（200）包括红外灯管组件（210），所述红外灯管组件（210）设置在所述反应罩（110）外侧；所述冷却组件包围所述加热组件（200）设置。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，所述反应炉包括反应室组件(100)、加热组件(200)以及冷却组件，其特征在于， 所述反应室组件(100 )包括反应罩(110 )，所述反应罩(110)上侧设有通气管(111 )，反应气体通过所述通气管(111)输入到所述反应罩(110)内部； 所述加热组件(200)包括红外灯管组件(210)，所述红外灯管组件(210)设置在所述反应罩(110)外侧； 所述冷却组件包围所述加热组件(200)设置。2.按权利要求1所述的刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，其特征在于，所述加热组件(200)还包括反射板组件(220 )，所述反射板组件(220 )设置在所述反应罩(110 )外侧。3.按权利要求2所述的刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，其特征在于，所述红外灯管组件(210)包括多个红外灯管(212)，所述多个红外灯管(212)构造成并联回路以进行分区温度控制。4.按权利要求1所述的刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，其特征在于，冷却组件包括循环风冷却系统(310)和水冷却系统(350)，所述循环风冷却系统(310)构造成通入气流进行冷却，所述水冷却系统(350 )构造成具有冷却水管(353 )，所述冷却水管(353 )通入冷却水进行冷却。5.按权利要求4所述的刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，其特征在于，所述加热组件(200)包括反射板，所述反射板设置在反应罩(110)的上侧和四周侧，所述反射板的外侧固定有冷却板(352)，所述冷却水管(353)盘设在冷却板(352)的外侧。6.按权利要求4所述的 刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，其特征在于，所述循环风冷却系统(310)包括:位于反应室组件(100)上方的顶部集气槽(312);位于反应室组件(100)下方的底部集气槽(314);连通在顶部集气槽(312)和底部集气槽(314)之间的风腔，风腔位于反应室组件(100)以及加热组件(200)四周。7.按权利要求6所述的刻蚀烘烤设备的反应炉(10)，其特征在于，所述循环风冷却系统(310)...

【专利技术属性】
技术研发人员：周永君，徐小明，丁云鑫，毛棋斌，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：