【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于凝聚态物理领域，涉及一种。
技术介绍
霍尔效应(Hall effect, HE)是由美国物理学家霍尔(E. H. Hall)于1879年在研究金属的导电结构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。随后科学家们在磁性材料中发现了反常霍尔效应(anomalous Hall effect, AHE)以及在半导体中发现了自旋霍尔效应(spin Hall effect, SHE)。从理论上讲，这三种霍尔效应在一定的条件下应该存在其相应的量子化形式。1980年，德国物理学家克利青(K. V. Klitzing)等在研究极低温度和强磁场中的半导体二维电子气的输运性质时发现了量子霍尔效应(quantum Hall effect, QHE) (Klitzing Κ. V. et al. , New Method forHigh-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on QuantizedHall Resis...
【技术保护点】
一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底，该钛酸锶基底具有(111)晶面的表面，该钛酸锶基底设置在压强小于1.0×10?8?Pa的分子束外延反应腔体中；将该钛酸锶基底在该分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流的流量从而控制Bi、Sb、Cr及Te之间的比例，使Cr在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与Bi在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，从而在该钛酸锶基底的该表面形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：薛其坤，何珂，马旭村，陈曦，王立莉，常翠祖，冯硝，李耀义，贾金锋，
申请(专利权)人：清华大学，中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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