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本发明涉及一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底；将该钛酸锶基底在分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流...
该专利属于清华大学;中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;中国科学院物理研究所授权不得商用。

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