一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法技术

本发明专利技术涉及一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法，包括以下步骤：首先将籽晶生长面的反面进行镀膜处理，得到镀膜后的籽晶；然后将镀膜后的籽晶的生长面朝向碳化硅原料，利用籽晶托上设有的支架将籽晶托起。将籽晶生长面的反面进行镀膜处理，以保障籽晶不会发生反向升华现象。籽晶托上设有支架，将镀膜后的籽晶托起，可以有效抑制籽晶和籽晶托之间的气象传输，同时减少籽晶和背面材料之间的热传导差异，更好的释放晶体生长过程中的热应力，从而减少缺陷，提高晶体品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
SiC半导体材料是继第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP 等)之后发展起来的第三代宽带隙(Wide Band-gap Semiconductor, WBS)半导体材料的代表。与前两代半导体材料相比，SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。目前，PVT法已被证实是能够生长大尺寸SiC单晶最有效的标准方法。典型的SiC晶体生长室由籽晶托和坩埚体组成，籽晶托的作用是放置籽晶，坩埚体锅的作用是放置粉料。碳化硅晶体生长过程中，碳化硅籽晶通过环氧树脂胶或者酚醛树脂胶等粘合剂粘在籽晶托上，由于籽晶托加工精度较差，粘结剂附着不均匀以及粘结剂在高温碳化后放气等因素，导致籽晶背面与籽晶托之间存在一些气孔。气孔与高温碳化后的粘结剂的导热系数不同，使得籽晶的温场分布不均匀，另外由于气孔的存在，碳化硅晶体生长过程中温场梯度不仅只在原料和籽晶之间形成，生长的晶体中以及晶体背面和籽晶托之间同样存在温度梯度。由于晶体背面与籽晶托之间存在温度梯度，晶体背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法，其特征在于，包括以下步骤：首先将籽晶生长面的反面进行镀膜处理，得到镀膜后的籽晶；然后将镀膜后的籽晶的生长面朝向碳化硅原料，利用籽晶托上设有的支架将籽晶托起。

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法，其特征在于，包括以下步骤:首先将籽晶生长面的反面进行镀膜处理，得到镀膜后的籽晶；然后将镀膜后的籽晶的生长面朝向碳化硅原料，利用籽晶托上设有的支架将籽晶托起。2.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法，其特征在于:所述进行镀膜的材料包括金属碳化物材料、多晶碳化硅或非晶碳化硅中的任意一种。3.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶莹，段聪，邓树军，高宇，赵梅玉，
申请(专利权)人：保定科瑞晶体有限公司，
类型：发明
国别省市：