【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
碳化硅晶体生长过程中，晶体中的缺陷大部分会来自于籽晶，目前生长用碳化硅籽晶均为单面或双面研磨、抛光的单晶片，由于研磨、抛光在表面上引起的如划痕、螺位错、刃位错基面位错等缺陷，使得籽晶表面的缺陷数量在生长造成的基础上又增加了几倍。SiC作为第三代宽带隙(Wide Band-gap Semiconductor, WBS)半导体材料的代表，其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。目前，PVT法已被证实是能够生长大尺寸SiC单晶最有效的标准方法。典型的SiC晶体生长室由籽晶托和坩埚体组成，籽晶托的作用是放置籽晶，坩埚的作用是放置粉料。碳化硅晶体生长过程中，碳化硅籽晶的品质是决定生长后晶体品质的主要因素，籽晶表面不仅存在生长引起的固有缺陷而且还有研磨、抛光所带来的缺陷，这些缺陷都会影响到再生长晶体的品质，目前解决这些问题的方法有，H刻蚀和化学抛光(CMP)法，H刻蚀法成本较高，耗费时间较长，难于操作且腐蚀深度仅I μ m左右，不能到达研磨抛光引起的缺陷深...
【技术保护点】
一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法，其特征在于：包括以下步骤：将两个籽晶的Si面紧密的粘贴在一起，再将其放入熔融的KOH和K2CO3组成的腐蚀剂中，然后加热到400℃，在400℃恒温的条件下将籽晶生长面C面进行腐蚀，腐蚀掉研磨、抛光带来的缺陷，以减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷；其中，所述KOH和K2CO3的质量比为200:5。
【技术特征摘要】
1.一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法，其特征在于:包括以下步骤:将两个籽晶的Si面紧密的粘贴在一起，再将其放入熔融的KOH和K2CO3组成的腐蚀剂中，然后加热到400°C，在400°C恒温的条件下将籽晶生长面C面进行腐蚀，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶莹，高宇，段聪，赵梅玉，邓树军，
申请(专利权)人：保定科瑞晶体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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