【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于人工晶体生长
，具体涉及一种用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚。
技术介绍
第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件以及耐高温集成电路的优选材料，从而广泛应用于石油、化学、汽车、航空、航天、通信、武器等行业。碳化硅在正常的工程条件下无液相存在，低压下1800° C左右开始升华为气体，因而不能象锗、硅、砷化镓那样用籽晶从熔体中生长，也不能用区熔法进行提纯，并且存在一定条件下极易相互转变的不同结晶形态(即同质异晶型或同质多型体，Polytype)，故碳化硅是当今世界人工晶体生长的难点之一。目前主要有两种碳化硅晶体制备方法以体单晶为目标的物理气相输运法(即籽晶升华法)和以薄膜制备为目标的外延法。外延法主要采用化学气相淀积法，即利用携带气体将含硅、碳的气体注入到反应室内，在适当高的温度下淀积源气体通过热解或置换等化学反应产生晶体生长所需要的物质源，然后原子沉积，衬底外延生长。化学气相淀积法的优...
【技术保护点】
一种用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚，包括坩埚本体，其特征在于，所述坩埚本体内腔在水平方向上分成多个用于盛放碳化硅粉源的分装区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：封先锋，陈治明，臧源，马剑平，蒲红斌，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：
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