【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体生产设备
，特别涉及一种碳化硅单晶生长炉的压力控制系统。
技术介绍
碳化硅单晶材料，作为宽带隙半导体材料，具有优异的物理特性和电学性能，特别适合于制造高温、高频、大功率、抗辐射、短波长发光及光电集成器件，因此被广泛应用于航空、航天、雷达、通讯等领域。目前，碳化硅单晶的生长一般采用物理气相传输工艺PVT。由于碳化硅单晶生长的最终目的是为了获取大尺寸、低缺陷的碳化硅单晶，随着碳化硅单晶的尺寸增大，适当的压力环境就变得尤为重要。 碳化硅单晶生长炉生长室中气相组分，热场的均一性，合适的生长速率，通入载气时同时排出等量的载气将直接影响系统的稳定性，晶体生长适合于在接近平衡的状态下进行。碳化硅单晶生长中，载气一般使用氩气，不同的排气速度对生长晶体的多型有很大的影响。在确定生长时的温度梯度后，影响碳化硅单晶生长最重要的因素就是控制压力，但是目前的碳化硅单晶生长炉中还没有比较稳定、控制精确的压力控制系统。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何实现对碳化硅的单晶生长过程中各个工艺过程进行精确地压力控制。( 二 )技术方案为了解决上述技术...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶生长炉的压力控制系统，其特征在于，包括生长室、与生长室连通的充气链路、抽气链路和压力控制装置；所述充气链路包括两个充气阀及设于两个充气阀之间的流量计；所述抽气链路包括由第一抽气阀和第一机械泵组成的第一链路，以及由两个第二抽气阀及设于两个所述第二抽气阀之间的分子泵组成的第二链路；所述压力控制装置包括压力传感器、调节机械泵、变频器和控制器，所述压力传感器用于测量生长室内压力，所述调节机械泵通过调节抽气阀与所述生长室连通，所述变频器与调节机械泵连接，所述控制器与变频器及压力传感器连接，用于获取压力传感器的数值并控制变频器的转速。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄鸣，丁文革，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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