用于碳化硅的受控生长的方法以及由其产生的结构技术

本发明专利技术公开了用于碳化硅的受控生长的方法以及通过所述方法生产的结构。可通过将牺牲基底（104）放置在具有源材料（102）的生长区中而生长碳化硅（SiC）晶体。源材料（102）可包括低溶解度的杂质。随后在牺牲基底（104）上生长SiC以调节源材料（102）。随后用最终基底（120）替换牺牲基底（104），并且在最终基底（120）上生长SiC。产生碳化硅的单晶体，其中所述碳化硅晶体具有显著少的微管缺陷。这种晶体也可以包括基本均匀浓度的低溶解度杂质，并且可以用来制造晶片（200、300）和/或SiC芯片（202、302）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于碳化硅的受控生长的方法以及由其产生的结构
技术介绍
碳化硅(SiC)表现出很多引人关注的电性能和热物理性能。碳化硅因其物理强度和高的化学侵蚀耐受性而是特别有用的。碳化硅还具有优良的电子特性，包括辐射硬度、高击穿场强、相对宽的带隙、高饱和电子漂移速度、高温操作、以及光谱的蓝、紫和紫外区域中的高能光子的吸收和发射。SiC的一些特性使其适于制造高功率密度的固态器件。常常通过籽晶升华生长工艺生产SiC。在典型的碳化硅生长技术中，基底和源材料均被放置在反应坩埚内。当坩埚被加热时产生的热梯度促使来自源材料的材料朝向基底的气相运动，随后凝结在基底上且导致块状晶体的生长。对于很多应用而言，希望晶体具有高的电阻率。已知的是能够将杂质作为掺杂剂引入SiC内，并且这些掺杂剂能够调节包括电阻率在内的某些特性。如果SiC以如上面刚刚讨论的升华生长工艺生产，则能够以多种方式中的任何将掺杂剂引入腔室内，使得掺杂 剂将存在于由该工艺所生产的SiC晶体中。控制所述工艺以提供用于特定应用的适当浓度的掺杂剂。
技术实现思路
本专利技术的实施方案提供了一种生长具有相对少微管缺陷的半绝缘碳化硅(SiC)的方法。所述微管缺陷能够由低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·T·莱昂纳多，H·M·霍布古德，W·A·托尔，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：
国别省市：