制造单晶片制造技术

一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及用于制造单晶片(mono-crystalline sheet)的方法和设备,具体而言涉及单晶硅片。 此外，提供用于制造太阳能电池和天阳能电池装置的方法。
技术介绍
多数诸如集成电路或微芯片的半导体器件是基于硅的。此外，硅可以应用于光伏应用并形成所使用的大多数太阳能电池的基础。为了用于太阳能电池应用，广泛使用薄硅衬底。公知基于硅的太阳能电池的效率取决于用作衬底的硅的结晶性。例如，应用非晶形硅的太阳能电池呈现低于10%的效率。使用多晶硅的较高效太阳能电池可达到约15%的效率。通常根据每入射太阳能由太阳能电池产生的电力来测量太阳能电池的效率。可利用单晶硅衬底获得太阳能电池的最高效率。在光伏应用中还使用其他半导体材料，所述半导体材料优选地采用其单晶形式。然而，在商业应用中，主要采用硅衬底。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面的实施例，提供一种用于制造半导体材料的单晶片的方法，所述方法包括以下步骤提供至少两个孔元件(aperture element),在所述至少两个孔元件之间形成间隙；在所述至少两个孔元件之间的所述间隙中提供包含所述半导体材料的熔融合金;在所述熔融合金附近提供包含所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·T·比约克，H·E·里埃尔，H·施米特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：