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一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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