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本发明公开了用于碳化硅的受控生长的方法以及通过所述方法生产的结构。可通过将牺牲基底（104）放置在具有源材料（102）的生长区中而生长碳化硅（SiC）晶体。源材料（102）可包括低溶解度的杂质。随后在牺牲基底（104）上生长SiC以调节源材...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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