【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于铜基复合材料制备，具体涉及一种钨弥散强化铜基复合材料及其制备方法。
技术介绍
1、电子信息集成技术的高速推进，研究重点倾向于提高铜基材料的高温性能。二是高尖端技术的蓬勃发展，需要铜基材料保证高导电率的同时具有高强度，但通常情况下，铜基材料的高强高导难以兼顾，因此如何解决两者之间的矛盾就成了另一研究重点。
2、cu-cr、cu-cr-zr、cu-ni-si等合金因其具有较高的强度和优良的导电性能，在导体组件和引线框架材料中应用广泛，然而近年来集成电路向大规模、高可靠性和精密化的方向发展，这就对引线框架材料的高温抗软化性能提出了更高的要求，材料须在高服役温度下能够具有抗软化、高导热、高温低周疲劳性能等特性。但是这类铜基材料高温稳定性不好，当将其加热到沉淀处理以上的温度时，沉淀相容易粗化并发生重溶，形成固溶体，使得先前的沉淀强化效果几乎完全消失。因此高温软化温度不超过600℃。而添加第二相陶瓷颗粒增强相能够在高服役温度下阻碍位错回复以及铜基体再结晶，使得复合材料具有优越的强度以及高温性能，但是弥散相颗粒的导电率等物理性能也是决定铜合金性能的因素之一。一般的陶瓷相电导率很低，因此复合材料导电性能会大打折扣。因此亟需开发出一种新的软化温度和导电率均较高的cu基复合材料。
技术实现思路
1、为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种钨弥散强化铜基复合材料及其制备方法，用以解决现有的cu基复合材料难以实现软化温度和导电率共同满足使用需求的技术问题。
...【技术保护点】
1.一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S1中，制备钨-铜复合前驱体水基浆料的步骤为：
3.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S1中，所述电解铜粉的粒径为0.5～50μm；所述可溶性钨盐为偏钨酸铵；所述粘结剂为PVA、PVB、PEG中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S1中，所述可溶性钨盐的用量满足其转化的W单质占W和Cu总质量的1％～10％。
5.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述喷雾造粒通过离心喷雾干燥机进行；所述喷雾造粒时，离心喷雾干燥机的入口温度为180～300℃，出口温度为110～150℃，旋转雾化器的转速为8000～12000r/min。
6.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述还原处理是在氢气氛围下进行；所述氢气的还原温度为
7.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S3中，所述烧结的方式为真空热压烧结；所述真空热压烧结的温度为900～1050℃，保温时间为10～60min。
8.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，S3中，所述塑性加工变形处理的方式为热轧、热挤压、热锻中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，所述塑性加工变形处理的变形量为20％～99％。
10.一种钨弥散强化铜基复合材料，其特征在于，采用权利要求1～9中任意一项所述的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，s1中，制备钨-铜复合前驱体水基浆料的步骤为：
3.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，s1中，所述电解铜粉的粒径为0.5～50μm；所述可溶性钨盐为偏钨酸铵；所述粘结剂为pva、pvb、peg中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，s1中，所述可溶性钨盐的用量满足其转化的w单质占w和cu总质量的1％～10％。
5.根据权利要求1所述的一种钨弥散强化铜基复合材料的制备方法，其特征在于，s2中，所述喷雾造粒通过离心喷雾干燥机进行；所述喷雾造粒时，离心喷雾干燥机的入口温度为180～300℃，出口温度为110～150℃，旋转雾化器的转速为8...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈铮，谭欣雨，梁淑华，张乔，肖鹏，邓楠，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：
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