碳化硅晶体生长炉控制系统技术方案

技术编号:8297949 阅读:222 留言:0更新日期:2013-02-06 23:08
本发明专利技术公开了一种碳化硅晶体生长炉控制系统,包括:ARM控制器和受所述ARM控制器控制的压力控制器、温度控制器、运动控制器和报警器;压力控制器:采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器;温度控制器:采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器;运动控制器:用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动;报警器:当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。发明专利技术提供的碳化硅晶体生长炉控制系统,可有效的提供生长炉的工作效率,减低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生长炉
,特别涉及一种碳化硅晶体生长炉控制系统
技术介绍
目前工业自动化控制一般采用PLC控制,PLC面向直接控制,主要用于大型设备,开发简单,成本较高。而ARM偏向弱电控制,只有装上操作系统后才能发挥到它的实力,大多数用于消费类电子产品,开发难度大,价格低廉。随着工业技术的发展,这些控制器之间的界限也越来越模糊。根据实际的工作要求来选择合适的控制器
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是,针对现有技术的不足,提供一种碳化硅晶体生长炉控制系统,可有效的提供生长炉的工作效率,减低生产成本。(二)技术方案本专利技术提供一种碳化硅晶体生长炉控制系统,包括ARM控制器和受所述ARM控制器控制的压力控制器、温度控制器、运动控制器和报警器;压力控制器采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器;温度控制器采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器;运动控制器用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动;报警器当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。其中,所述压力控制器包括PC机、压力检测控制电路、变频器和机械泵,所述压力检测控制电路采集碳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅晶体生长炉控制系统,其特征在于,包括:ARM控制器和受所述ARM控制器控制的压力控制器、温度控制器、运动控制器和报警器;压力控制器:采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器;温度控制器:采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器;运动控制器:用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动;报警器:当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄鸣丁文革谭三成
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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