一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法技术

技术编号:8678305 阅读:255 留言:0更新日期:2013-05-08 22:46
本发明专利技术提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法,解决了普通熔盐法生长的RbTiOPO4晶体点缺陷密度大、电导率高的问题,本发明专利技术包括以下步骤:液相合成法制备RbH2PO4;将RbH2PO4、Rb2CO3、TiO2置于铂坩埚中,再将铂坩埚迅速放入合料炉合成Rb2CO3、Rb4P2O7和RbTiOPO4的混合原料;顶部籽晶提拉法生长RbTiOPO4晶体:籽晶方向为、籽晶杆转速20~60rpm、籽晶杆的旋转方式为转-停止-反转,提拉速率0.5~1mm/day,晶体生长起始温度为840~940℃,降温速率0.5~2℃/day、降温40~60℃。本发明专利技术生长的RbTiOPO4晶体点缺陷密度小,电导率比普通晶体电导率低3~4数量级,且具有良好的耐电压和调制性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长领域,特别是指一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法
技术介绍
RbTiOPO4是一种用于高重复频率的新型电光晶体,其应用范围为0.8μπι 3.0ym0 RbTiOPO4与KTiOPO4具有相似的晶型结构,却拥有比KTiOPO4更优良的电光性质:电导率低、电光系数大、损伤阈值高、低电压效应宽,因此此110 04成为高重复频率电光调Q和光调制领域内的理想材料。然而,RbTiOPO4存在的晶体完美性差、电导率高、耐电压不够等问题,限制了它在电光领域的应用。目前RbTiOPO4晶体主要采用熔盐法生长,一般采用固相合成(Journalofcrystal growth, 1992,125 (639-643))原料 RbH2PO4,之后在原料 RbH2PO4 中加入 Rb2C03、TiO2高温下反应生成RbTiOPO4熔质与多磷酸盐助熔剂的均匀的高温溶液,再接着缓慢降温使熔质RbTiOPOj^慢析出结晶在籽晶上。这种固相合成的方法,在晶体生长的过程中,容易引进杂质离子缺陷,继而导致RbTiOPO4晶体具有高的电导率。另外,现有熔盐法使用的助熔剂一般为 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)液相合成法制备原料RbH2PO4,具体步骤为:在P2O5中加入去离子水、Rb2CO3,搅拌溶解后在蒸发皿中加热得到乳状物;将乳状物在100~150℃下烘干20~24h后研磨成粉并放置于铂坩埚中;将铂坩埚放置在马弗炉中,升温至150~200℃后恒温烧结4~6h;(2)先将得到的RbH2PO4与Rb2CO3、TiO2置于铂坩埚中,再将铂坩埚迅速放入合料炉内,以30~50℃/h升温至1000~1200℃搅拌合成Rb2CO3、Rb4P2O7和RbTiOPO4混合原料;(3)将铂坩埚置于熔盐炉内,采用顶部籽晶提拉法生...

【技术特征摘要】
1.一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)液相合成法制备原料RbH2PO4,具体步骤为:在P2O5中加入去离子水、Rb2CO3,搅拌溶解后在蒸发皿中加热得到乳状物;将乳状物在100 150°C下烘干20 24h后研磨成粉并放置于钼坩埚中;将钼坩埚放置在马弗炉中,升温至150 200°C后恒温烧结4 6h ; (2)先将得到的RbH2PO4与Rb2CO3JiO2置于钼坩埚中,再将钼坩埚迅速放入合料炉内,以30 50°C /h升温至1000 1200°C搅拌合成Rb2C03、Rb4P2O7和RbTiOPO4混合原料; (3)将钼坩埚置于熔盐炉内,采用顶部籽晶提拉法生长RbTiO...

【专利技术属性】
技术研发人员:王世武贾延伟王鸿雁
申请(专利权)人:青岛海泰光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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