【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及SiC晶须领域，特别是涉及。
技术介绍
SiC晶须是一种高度取向性的短纤维单晶体，作为复合材料的补强增韧材料。SiC晶须的制备方法普遍采用碳热还原的方法，即硅源和碳源及催化剂，按一定比例混合，在非氧化性气氛，高温条件下反应，合成产物通过除碳和酸洗等工艺除去杂质。自从20世纪70年代中期美国犹他大学的Cutler教授专利技术稻壳生产SiC晶须以来，稻壳制SiC晶须得到了很大的发展，所生产的SiC中SiC晶须的含量由最初的仅占10%提高到2(Γ25%。日本东海碳素公司、美国罗斯阿拉莫斯公司等采用稻壳作为原料，并形成了较大的生产规模，目前SiC晶须生产过程中存在成本高，产率低，能耗大等问题，进一步研究SiC晶须的制备方法是很有必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，采用新型催化剂，解决SiC晶须生产中成本大，制备工艺复杂等问题，降低生产成本，提高生产效率和产品质量。为实现上述目的，本专利技术是通过以下技术方案实现的—种SiC晶须的制备方法，以埃肯娃微粉为娃源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si= (7. 5 8):1，Si/Al= (4 6):1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。将埃肯硅微粉和Na3AlF6混合后放入石墨坩埚内，用石墨盖盖好后，放入真空碳管炉内，抽真空至10 12Pa，充入氩气进行洗气再抽真空，最后充入氩气保持石墨坩埚内压力高于外界O. 02 O. 03Mpa，升温速率为10 12°C /分钟，在13...
【技术保护点】
一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。
【技术特征摘要】
1.一种SiC晶须的制备方法,其特征在于，以埃肯娃微粉为娃源、石墨为碳源、Na3AlF6 为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si= (7. 5 8) :1，Si/Al= (4 6):1的比例加入 SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为 SiC晶须生长的保护气体。2.根据权利要求I所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，将埃肯硅微...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔曦文，柏杉，洪艳萍，闵庆峰，蒋明学，
申请(专利权)人：中冶焦耐工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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