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本发明涉及SiC晶须领域，特别是涉及一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3A...
该专利属于中冶焦耐工程技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中冶焦耐工程技术有限公司授权不得商用。

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