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本发明涉及一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法，包括以下步骤：将两个籽晶的Si面紧密的粘贴在一起，再将其放入熔融的KOH和K2CO3组成的腐蚀剂中，然后加热到400℃，在400℃恒温的条件下将籽晶生长面C面进行腐蚀，腐蚀掉研磨、抛光带来的...
该专利属于保定科瑞晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过保定科瑞晶体有限公司授权不得商用。

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