【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于人工晶体生长
，具体涉及一种。
技术介绍
第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件以及耐高温集成电路的优选材料，从而广泛应用于石油、化学、汽车、航空、航天、通信、武器等行业。碳化硅在正常的工程条件下无液相存在，低压下1800° C左右开始升华为气体，因而不能象锗、硅、砷化镓那样用籽晶从熔体中生长，也不能用区熔法进行提纯，并且存在 一定条件下极易相互转变的不同结晶形态(即同质异晶型或同质多型体，Polytype)，故碳化硅是当今世界人工晶体生长的难点之一。目前制备碳化硅体单晶体主要采用物理气相输运法(即籽晶升华法)。现有技术中物理气相输运法将作为生长源的碳化硅粉(或硅、碳固态混合物)置于温度较高的坩埚底部，籽晶固定在温度较低的坩埚顶部，生长源在低压高温下升华分解产生气态物质。在由生长源与籽晶之间存在的温度梯度而形成的压力梯度的驱动下，这些气态物质自然输运到低温的籽晶位置，并由于超饱和度的产生...
【技术保护点】
一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，依次进行如下步骤：步骤1、选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；步骤2、分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；步骤3、在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入步骤1确定的高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；步骤4、将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；步骤5、从坩埚中取出石墨柱；步骤6、进行晶体生长操作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：封先锋，陈治明，蒲红斌，马剑平，臧源，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：
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