一种蓝宝石晶体生长设备及生长方法技术

本发明专利技术揭示了一种蓝宝石晶体生长设备及生长方法，所述设备包括加热器、坩埚、液面高度测量机构，坩埚的直径大于高度的3倍；坩埚内设有一个冷心，控制晶体以冷心为中心开始径向生长。液面高度测量机构用以测量坩埚内部熔体的液面高度；当连接线碰触到熔体液面时，由于熔融氧化铝具有导电性能，就会连成一个闭合电路；此时通过液面高度传感器就能监测到熔体液面的位置，进而获得熔体的结晶速率，根据获得的结晶速度控制晶体生长。本发明专利技术提出的蓝宝石晶体生长设备及生长方法，通过采用异形坩埚和加热器，使用c向籽晶直接接触坩埚中心处冷心，再通过监测液面位置控制晶体向径向生长，获得大尺寸c向蓝宝石晶体，大大提高了晶体的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶体制备设备
，涉及一种晶体生长设备，尤其涉及一种蓝宝石晶体生长设备；同时，本专利技术还涉及一种蓝宝石晶体生长方法。
技术介绍
蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成，其晶体结构为六方晶格结构。由于蓝宝石具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高(2045°C)等特点，因此常被用来作为光电元件的材料。目前蓝宝石衬底作为LED领域的关键材料，其大尺寸、高质量、高利用率已经成为行业发展的困难和目标。蓝宝石晶体材料的生长方法目前已有很多种方法，主要有泡生法(即KyiOpolos法，简称 Ky 法)、导模法(即 edge defined film-fed growth techniques 法，简称 EFG 法)、热交换法(即heat exchange method法,简称HEM法)、提拉法(即Czochralski,简称Cz法)、布里奇曼法(即Bridgman法,或相■祸下降法)等。传统的蓝宝石晶体生长方法多采用a向籽晶长晶，由于LED领域大多使用c向晶片作衬底，则获得的晶体需要进行掏棒、切片、抛光等一系列后续加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石晶体生长设备，其特征在于，所述设备包括：加热器、坩埚，所述加热器为坩埚加热；所述坩埚的直径大于高度的3倍；坩埚内设有一个冷心，控制晶体以冷心为中心开始径向生长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍威尔·斯米尔诺夫，维塔利·塔塔琴科，孙大伟，周健杰，刘一凡，吴勇，
申请(专利权)人：上海中电振华晶体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：