激光CVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术提供了一种激光CVD镀膜设备，包括上壳体与下壳体，上壳体盖合于下壳体上以形成密封的CVD腔体，上壳体内安装有用于带动待镀膜材料在平面移动并确定位置的平面定位装置，待镀膜材料安装于平面定位装置上；下壳体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置和用于将激光源聚焦于该喷气装置喷嘴前端的激光聚焦装置；待镀膜材料位于喷气装置的喷嘴前端并与之相对。平面定位装置包括第一滑槽以及与该第一滑槽垂直设置的第二滑槽，第一滑槽内设有第一滑块，第二滑槽内设有第二滑块，第二滑槽与第一滑块连接，第二滑块上设有安装板，待镀膜材料贴附于安装板上。本发明专利技术镀膜效率高、不易损坏待镀膜材料，且所镀出的膜厚均匀、镀膜表面光滑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相沉积(CVD)
，尤其涉及一种激光CVD镀膜设备。
技术介绍
化学气相沉积(英文:Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。化学气相沉积技术已在镀膜领域广泛运用，现有技术中，工作气体的加热方式一般都是使用红外加热气体或加热待镀膜材料的方式促进气体的化学反应，使用红外加热气体的方式效率低，所镀出来的膜厚也不均匀，镀膜表面粗糙，而加热待镀膜材料的方式容易烧坏材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种镀膜效率高、不易损坏待镀膜材料的激光CVD镀膜设备，该设备所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。本专利技术是这样实现的，一种激光CVD镀膜设备，包括上壳体与下壳体，所述上壳体盖合于所述下壳体上以形成密封的CVD腔体，所述上壳体内安装有用于带动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光CVD镀膜设备，包括上壳体与下壳体，所述上壳体盖合于所述下壳体上以形成密封的CVD腔体，其特征在于：所述上壳体内安装有用于带动待镀膜材料在平面移动并确定位置的平面定位装置，所述待镀膜材料安装于所述平面定位装置上；所述下壳体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置和用于将激光源聚焦于该喷气装置喷嘴前端的激光聚焦装置；所述待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴前端并与之相对。

【技术特征摘要】
1.一种激光CVD镀膜设备，包括上壳体与下壳体，所述上壳体盖合于所述下壳体上以形成密封的CVD腔体，其特征在于:所述上壳体内安装有用于带动待镀膜材料在平面移动并确定位置的平面定位装置，所述待镀膜材料安装于所述平面定位装置上；所述下壳体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置和用于将激光源聚焦于该喷气装置喷嘴前端的激光聚焦装置；所述待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴前端并与之相对。2.如权利要求1所述的激光CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷气装置包括具有所述喷嘴的喷气架，所述激光聚焦装置包括用于聚焦激光源的聚焦头及用于接驳光纤的光纤接驳管，所述聚焦头与所述光纤接驳管连接，所述喷气架还设有引入工作气体的进气口及用于安装所述聚焦头的聚焦头安装孔。3.如权利要求2所述的激光CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷气架设有用于固定所述光纤接驳管的固定槽。4.如权利要求3所述的激光CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷嘴为圆孔状，所述聚焦头安装孔均匀分布于所述喷嘴环周。5.如权利要求1所述的激光CVD镀膜设备，其特征在于:所述平面定位装置包括安装于所述上壳体内壁的第一滑槽以及与该第一滑槽垂直设置的第二滑槽，所述第一滑槽内设有第一滑块，所述第二滑槽内设有第二滑块，所述第二滑槽与所述第一滑块连接，所述第二滑块上设有安装板，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奉瑾，
申请(专利权)人：王奉瑾，
类型：发明
国别省市：