微波激发CVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术提供了一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体及具有微波发射喇叭的微波发生器，该壳体具有密封的CVD腔体，CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；微波发生器的本体安装于CVD腔体外，其微波发射喇叭设于CVD腔体内；CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于喷气装置与待镀膜材料之间。喷气装置包括具有喷嘴的喷气架以及引入工作气体的输气管，喷气架设有引入工作气体的进气口，输气管接驳于进气口上。喷气架开设有至少两个进气口，喷气架内设有用于混合气体的混气腔。本发明专利技术镀膜效率高、不易损坏待镀膜材料，且所镀出的膜厚均匀、镀膜表面光滑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相沉积(CVD)
，尤其涉及一种微波激发CVD镀膜设备。
技术介绍
化学气相沉积(英文:Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。化学气相沉积技术已在镀膜领域广泛运用，现有技术中，工作气体的加热方式一般都是使用红外加热气体或加热待镀膜材料的方式促进气体的化学反应，使用红外加热气体的方式效率低，所镀出来的膜厚也不均匀，镀膜表面粗糙，而加热待镀膜材料的方式容易损坏材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种加热效率高、镀膜效率高、容易控制加热温度、不易损坏待镀膜材料、制造成本低廉的微波激发CVD镀膜设备，该设备所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。本专利技术是这样实现的，一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体，其特征在于:还包括具有微波发射喇叭的微波发生器，所述壳体具有密封的CVD腔体，所述CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；所述微波发生器的本体安装于所述CVD腔体外，其微波发射喇叭设于所述CVD腔体内；所述CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于所述喷气装置与所述待镀膜材料之间。进一步地，所述CVD腔体内安装有用于驱动所述喷气装置沿所述待镀膜材料表面平行移动的移动装置。更进一步地，所述喷气装置包括具有所述喷嘴的喷气架以及引入工作气体的输气管，所述喷气架设有引入工作气体的进气口，所述输气管接驳于所述进气口上。具体地，所述喷气架开设有至少两个所述进气口，所述输气管的数量与所述进气口数量相等且一一对应接驳于所述进气口上，所述喷气架内设有用于混合气体的混气腔，所述进气口及所述喷嘴皆分别贯通所述喷气架外部与所述混气腔。优选地，所述移动装置包括具有螺纹的丝杆及驱动该丝杆转动的第一电机，所述喷气架开设有与所述丝杆的螺纹适配的螺孔，所述丝杆穿设于所述螺孔内。进一步地，所述壳体开设有供所述待镀膜材料进入所述CVD腔体的进料口，所述壳体还开设有供所述待镀膜材料离开所述CVD腔体的出料口，所述进料口与所述出料口相对设置且均安装有密封装置 。更进一步地，所述密封装置包括弹性按压于所述待镀膜材料一面的第一滚筒及弹性按压于所述待镀膜材料另一面的第二滚筒。具体地，所述密封装置还包括驱动所述第一滚筒或所述第二滚筒转动的第二电机。进一步地，所述CVD腔体内安装有水冷散热装置、用于检测待镀膜材料上镀膜厚度的膜厚监控装置、用于监控所述CVD腔体内部环境的视频监控装置以及测温装置。具体地，所述壳体设有向所述水冷散热装置注入冷却液的入水口以及排出冷却液的出水口。本专利技术镀膜时通过微波对CVD腔体及喷气装置进行加热，喷气装置被加热后，其热量传递给即将由喷嘴喷出的工作气体，工作气体被加热激发分解，由于喷出的气体具有惯性，继而被分解的工作气体撞击粘附于待镀膜材料表面上凝结形成镀膜。本专利技术采用微波对CVD腔体·及工作气体进行加热，其加热效率高，镀膜效率也随之提高。微波发生器容易调节微波加热功率，可灵活地调节加热速度和温度，保证镀膜厚度的准确性，所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。再者，由于微波发生器的成本低，因此，本专利技术的制造成本也随之降低。CVD腔体内横设位于喷气装置与待镀膜材料之间的金属网可屏蔽微波，微波被金属网屏蔽后无法到达待镀膜材料上，可防止待镀膜材料被微波加热而烧坏。附图说明图1为本专利技术实施例中微波激发CVD镀膜设备的立体示意图；图2为本专利技术实施例中微波激发CVD镀膜设备的内部示意图；图3为图1中A-A的剖视图，即本专利技术实施例中微波激发CVD镀膜设备的后视剖视图；图4为本专利技术实施例中喷气架的结构示意图；图5为图4中B-B的剖视图，即本专利技术实施例中喷气架的后视剖视图；图6为本专利技术实施例中金属网的结构示意图；图7为本专利技术实施例中密封装置的结构示意图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参见图1与图2，本专利技术实施例提供了一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体1，还包括具有微波发射喇叭42的微波发生器4，所述壳体I具有密封的CVD腔体11，所述CVD腔体11内安装有用于喷出工作气体的喷气装置2，待镀膜材料3位于所述喷气装置2的喷嘴211 (参见图4或图5)上方且其需镀膜的一面与之相对；所述微波发生器的本体41安装于所述CVD腔体11外，其微波发射喇叭42设于所述CVD腔体11内；所述CVD腔体11内横设有用于屏蔽微波的金属网5，该金属网5位于所述喷气装置2与所述待镀膜材料3之间。进行镀膜前需要先排出CVD腔体11内的多余气体(参见图1，壳体I上设有用于排出多余气体的抽气口 14)，再通入保护气体。然后开启微波发生器4对CVD腔体11和喷气装置2进行加热，需要说明的是，CVD腔体11内壁采用导电材料制作，以屏蔽微波，防止微波外泄。喷气装置2被加热后，其热量将会传递给即将由喷嘴211喷出的工作气体，工作气体被加热激发分解，由于喷出的气体具有惯性，继而被分解的工作气体撞击粘附于待镀膜材料表面上凝结形成镀膜。由于本专利技术通过微波进行加热，其加热效率高，镀膜效率也随之提高；又由于微波发生器容易调节微波加热功率，因此可灵活地调节加热速度和温度，保证镀膜厚度的准确，所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。再者，由于微波发生器的成本低，因此，本专利技术的制造成本也随之降低。CVD腔体11内横设位于喷气装置2与待镀膜材料3之间的金属网5可屏蔽微波，微波被金属网5屏蔽后无法到达待镀膜材料3上，可防止待镀膜材料被微波加热而烧坏。其中，图6所示的金属网5的结构为本专利技术的一种优选结构，该金属网5的网格交错设置，可进一步保证镀膜更均匀。参见图2，所述CVD腔体11内安装有用于驱动所述喷气装置2沿所述待镀膜材料3表面平行移动的移动装置6。对于宽度较大的待镀膜材料，安装于移动装置6上的喷气装置2可将工作气体喷于待镀膜材料表面的不同位置。参见图2、图4与图5，所述喷气装置2包括具有所述喷嘴211的喷气架21以及引入工作气体的输气管22，所述喷气架21设有引入工作气体的进气口 212，所述输气管22接驳于所述进气口 212上。 参见图5，具体地，所述喷气架21开设有至少两个所述进气口 212，所述输气管22的数量与所述进气口 212数量相等且一一对应接驳于所述进气口 212上，所述喷气架21内设有用于混合气体的混气腔213，所述进气口 212及所述喷嘴211皆分别贯通所述喷气架21外部与所述混气腔213。由进气口 212进入混气腔213的气体在混气腔213内混合，由于喷气架21被微波加热，其混气腔213内的温度也随之被加热到所需的温度，气体在混气腔213内高温加热激发，再由喷嘴211喷出；又由于CVD腔体11也被微波加热，因此喷出后的工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体，其特征在于：还包括具有微波发射喇叭的微波发生器，所述壳体具有密封的CVD腔体，所述CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；所述微波发生器的本体安装于所述CVD腔体外，其微波发射喇叭设于所述CVD腔体内；所述CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于所述喷气装置与所述待镀膜材料之间。

【技术特征摘要】
1.一种微波激发CVD镀膜设备,包括壳体,其特征在于:还包括具有微波发射喇ΠΛ的微波发生器，所述壳体具有密封的CVD腔体，所述CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；所述微波发生器的本体安装于所述CVD腔体外，其微波发射喇叭设于所述CVD腔体内；所述CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于所述喷气装置与所述待镀膜材料之间。2.如权利要求1所述的微波激发CVD镀膜设备，其特征在于:所述CVD腔体内安装有用于驱动所述喷气装置沿所述待镀膜材料表面平行移动的移动装置。3.如权利要求2所述的微波激发CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷气装置包括具有所述喷嘴的喷气架以及引入工作气体的输气管，所述喷气架设有引入工作气体的进气口，所述输气管接驳于所述进气口上。4.如权利要求3所述的微波激发CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷气架开设有至少两个所述进气口，所述输气管的数量与所述进气口数量相等且一一对应接驳于所述进气口上，所述喷气架内设有用于混合气体的混气腔，所述进气口及所述喷嘴皆分别贯通所述喷气架外部与所述混气腔。5.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奉瑾，
申请(专利权)人：王奉瑾，
类型：发明
国别省市：