微波激发CVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术提供了一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体及具有微波发射喇叭的微波发生器，该壳体具有密封的CVD腔体，CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；微波发生器的本体安装于CVD腔体外，其微波发射喇叭设于CVD腔体内；CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于喷气装置与待镀膜材料之间。喷气装置包括具有喷嘴的喷气架以及引入工作气体的输气管，喷气架设有引入工作气体的进气口，输气管接驳于进气口上。喷气架开设有至少两个进气口，喷气架内设有用于混合气体的混气腔。本发明专利技术镀膜效率高、不易损坏待镀膜材料，且所镀出的膜厚均匀、镀膜表面光滑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相沉积(CVD)
，尤其涉及一种微波激发CVD镀膜设备。
技术介绍
化学气相沉积(英文:Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。化学气相沉积技术已在镀膜领域广泛运用，现有技术中，工作气体的加热方式一般都是使用红外加热气体或加热待镀膜材料的方式促进气体的化学反应，使用红外加热气体的方式效率低，所镀出来的膜厚也不均匀，镀膜表面粗糙，而加热待镀膜材料的方式容易损坏材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种加热效率高、镀膜效率高、容易控制加热温度、不易损坏待镀膜材料、制造成本低廉的微波激发CVD镀膜设备，该设备所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。本专利技术是这样实现的，一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体，其特征在于:还包括具有微波发射喇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波激发CVD镀膜设备，包括壳体，其特征在于：还包括具有微波发射喇叭的微波发生器，所述壳体具有密封的CVD腔体，所述CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；所述微波发生器的本体安装于所述CVD腔体外，其微波发射喇叭设于所述CVD腔体内；所述CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于所述喷气装置与所述待镀膜材料之间。

【技术特征摘要】
1.一种微波激发CVD镀膜设备,包括壳体,其特征在于:还包括具有微波发射喇ΠΛ的微波发生器，所述壳体具有密封的CVD腔体，所述CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对；所述微波发生器的本体安装于所述CVD腔体外，其微波发射喇叭设于所述CVD腔体内；所述CVD腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于所述喷气装置与所述待镀膜材料之间。2.如权利要求1所述的微波激发CVD镀膜设备，其特征在于:所述CVD腔体内安装有用于驱动所述喷气装置沿所述待镀膜材料表面平行移动的移动装置。3.如权利要求2所述的微波激发CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷气装置包括具有所述喷嘴的喷气架以及引入工作气体的输气管，所述喷气架设有引入工作气体的进气口，所述输气管接驳于所述进气口上。4.如权利要求3所述的微波激发CVD镀膜设备，其特征在于:所述喷气架开设有至少两个所述进气口，所述输气管的数量与所述进气口数量相等且一一对应接驳于所述进气口上，所述喷气架内设有用于混合气体的混气腔，所述进气口及所述喷嘴皆分别贯通所述喷气架外部与所述混气腔。5.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奉瑾，
申请(专利权)人：王奉瑾，
类型：发明
国别省市：