化学气相沉积设备制造技术

本发明专利技术涉及一种化学气相沉积设备。所述化学气相沉积设备包括腔体、冷却装置、设置在所述腔体内的顶板和衬底支撑座，所述顶板与所述衬底支撑座相对设置，所述顶板具有与所述衬底支撑座相对的第一表面，所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面，所述冷却装置用于冷却所述顶板，其特征在于：所述冷却装置包括至少两个冷却单元，每个冷却单元对应所述顶板的不同区域，所述至少两个冷却单元相互独立地对所述顶板进行冷却以控制所述第一表面的温度分布。本发明专利技术的CVD设备可以使得衬底支撑座的衬底支撑面上的温度快速达到均匀分布或达到其要求的分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学气相沉积(CVD)设备，特别是一种有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备。
技术介绍
现阶段化学气相沉积(CVD)设备，如:等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备、低压化学气相沉积(LPCVD)设备、金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备已经广泛应用于半导体器件制造领域。以下以金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备为例对现有技术的化学气相沉积设备进行简单说明。请参阅图1，图1为现有技术一种MOCVD设备的结构示意图。所述MOCVD设备I包括腔体11设置在所述腔体11内的喷淋头12、衬底支撑座13和加热器14。所述喷淋头12设置在所述腔体11的顶部。所述衬底支撑座13设置在所述腔体11的底部，并且与所述喷淋头12相对设置。所述加热器14设置在所述衬底支撑座13背离所述喷淋头12的一侧。加热器14用于加热所述衬底支撑座。所述喷淋头12包括临近所述衬底支撑座13 —侧的气体分配板121和位于所述气体分配板121背离所述衬底支撑座13 —侧的冷却腔122。所述冷却腔122对所述气体分配板121进行冷却以防止所述气体分配板121的温度过高。所述气体分配板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积设备，其包括腔体、冷却装置、设置在所述腔体内的顶板和衬底支撑座，所述顶板与所述衬底支撑座相对设置，所述顶板具有与所述衬底支撑座相对的第一表面，所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面，所述冷却装置用于冷却所述顶板，其特征在于：所述冷却装置包括至少两个冷却单元，每个冷却单元对应所述顶板的不同区域，所述至少两个冷却单元相互独立地对所述顶板进行冷却以控制所述第一表面的温度分布。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，其包括腔体、冷却装置、设置在所述腔体内的顶板和衬底支撑座，所述顶板与所述衬底支撑座相对设置，所述顶板具有与所述衬底支撑座相对的第一表面，所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面，所述冷却装置用于冷却所述顶板，其特征在于:所述冷却装置包括至少两个冷却单元，每个冷却单元对应所述顶板的不同区域，所述至少两个冷却单元相互独立地对所述顶板进行冷却以控制所述第一表面的温度分布。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述至少两个冷却单元包括第一冷却单元和第二冷却单元，所述顶板具有中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域，所述第一冷却单元对应所述中心区域，所述第二冷却单元对应所述边缘区域。3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述第二冷却单元围绕所述第一冷却单元设置。4.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于:第一冷却单元与所述顶板之间的距离小于所述第二冷却单元与所述顶板之间的距离。5.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述第一冷却单元对所述顶板的冷却能力强于所述第二冷却单元。6.如权利要求5所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述第一冷却单元包括第一冷却腔或第一冷却管道，所述第二冷却单元包括第二冷却腔或第二冷却管道，所述第一冷却腔或第一冷却管道中冷却流体的流速大于或冷却流体的温度小于所述第二冷却腔或第二冷却管道中的冷却流体。7.如权利要求6所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却流体为冷却水。8.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述第一冷却单元包括主冷却模块和中心冷却模块，所述主冷却模块围绕所述中心冷却模块，所述顶板包括中心部和主体部，所述中心部位于所述中心区域的中心，所述主体部位于所述中心部与所述边缘区域之间，所述中心冷却模块对应所述中心部，所述主冷却模块对应所述主体部。9.如权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述中心冷却模块和所述主冷却模块相互独立地对所述顶板进行冷却。10.如权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述中心冷却模块与所述顶板之间的距离小于所述主冷却模块与所述顶板之间的距离。11.如权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述中心冷却模块对所述顶板的冷却能力强于所述主冷却模块。12.如权利要求1至11中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置使得所述顶板的第一表面温度均匀。13.如权利要求1至11中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置使得位于所述顶板边缘区域的第一表面温度高于位于所述顶板中心区域的第一表面温度。14.如权利要求13所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述位于所述顶板中心区域的第一表面温度均勻。15.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置设置在所述顶板背离所述衬底支撑座的一侧。16.如权利要求15所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述顶板邻近所述腔体的顶壁设置，所述冷却装置设置在所述顶板与所述腔体的顶壁之间。17.如权利要求15或16所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置紧贴所述顶板设置。18.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述化学气相沉积设备包括一喷淋头结构，所述喷淋头结构与所述衬底支撑座相对设置，所述顶板为所述喷淋头结构临近所述衬底支撑座的一侧的气体分配板。19.如权利要求18所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置设置在所述喷淋头结构背离所述衬底支撑座一侧。20.如权利要求19所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述喷淋头结构设置在所述腔体的顶部，所述冷却装置设置在所述腔体的顶壁与所述喷淋头结构之间。21.如权利要求19所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述喷淋头结构固定在所述腔体的顶壁的内表面，所述冷却装置设置在所述腔体的顶壁的外表面。22.如权利要求18所述的化学气相沉积设备，其特征在于:所述冷却装置为冷却腔或冷却管道，所述冷却腔或冷却管道设置于所述气体分配板背离所述衬底支撑座一侧。23.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：