【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多层材料层沉积的方法,及可以适用于该方法的化学气相沉积(CVD)设备,特别是一种有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备。
技术介绍
现阶段,由于发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的各种优势使得其得到了广泛的应用。然而随之而来的就是业内对LED的性能要求越发的苛刻,而LED的制造又是一个需要进行多次材料层沉积的过程,因此,如何保证材料层沉积后能够发挥出应有的作用,将对LED性能的改进有着重大的影响。现有技术中,对各种材料层的沉积都是在一个生长腔室内进行的,譬如,是在金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备的同一个生长腔室中进行的,这会导致各种严重的问题:一方面,由于各个材料层的沉积是需要不同的温度范围,故若在同一个生长腔室内沉积各个材料层,则该生长腔室就必须能够提供一个较大的温差,例如可以为480°C 1100°C。通常,这个温度范围是可以达到的,但是却不能够非常精确的控制在沉积某一层时达到所需要的温度,那么这就使得沉积的各个材料层性能不良,进而导致LED的波长、亮度及开启电压等参数的均匀性变差。另一方面,由于在同一个生长腔室内有着多次的温度变动,那么对每个所需的温度范围的可重复性(repeatability)设定将会很乏力,因此这将直接的导致基片的可重复性变差。再者,在同 一个生长腔室内进行各个材料层的生长不可避免的会使得各个材料层之间产生交叉污染。显然的,这将会使得形成的材料层质量变差。因此,有必要提供一种能够提高基片质量且制造效率高的化学气相沉积设备及沉积方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种 ...
【技术保护点】
一种在衬底上沉积多层材料层的方法,利用具有多个生长腔室的化学气相沉积设备进行,其特征在于,包括:步骤一:将一批基片通过一个基座共同传送至第一生长腔室中,在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层;步骤二:将所述第一生长腔室中的基片和基座共同传送至第二生长腔室中,在所述第二生长腔室中对所述基片沉积第二材料层;然后,将另一批基片通过另一个基座共同传送至所述第一生长腔室中,并在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层;步骤三:将所述第二生长腔室中的基片和基座共同取出所述第二生长腔室,然后执行步骤二。
【技术特征摘要】
1.一种在衬底上沉积多层材料层的方法,利用具有多个生长腔室的化学气相沉积设备进行,其特征在于,包括: 步骤一:将一批基片通过一个基座共同传送至第一生长腔室中,在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层; 步骤二:将所述第一生长腔室中的基片和基座共同传送至第二生长腔室中,在所述第二生长腔室中对所述基片沉积第二材料层;然后,将另一批基片通过另一个基座共同传送至所述第一生长腔室中,并在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层; 步骤三:将所述第二生长腔室中的基片和基座共同取出所述第二生长腔室,然后执行步骤二。2.如权利要求1所述的在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,在步骤三中还包括: 将所述第二生长腔室中的基片和基座传送至第三生长腔室中,在所述第三生长腔室中对所述基片沉积第三材料层。3.如权利要求2所述的进行在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,在所述每个生长腔室中对基片沉积材料层后,皆包括: 调整所述每个生长腔室中的温度,并在所述每个生长腔室中通入保护气。4.如权利要求2所述的进行在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,所述多层材料层包括LED外延片的缓冲层、N型半导体层、量子阱发光层和P型半导体层,所述第一材料层为所述N型半导体层,所述第二材料层为量子阱发光层,所述第三材料层为P型半导体层。5.如权利要求4所述的在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,在所述第一生长腔室中对基片沉积第一材料层之前,包括如下工艺步骤: 对所述基片进行清洗处理;及 在所述基片上形成所述缓冲层。6.如权利要求5所述的在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,所述缓冲层为氮化镓层,所述N型半导体层为N型氮化镓层。7.如权利要求6所述的在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,对所述基片进行清洗处理为在1000°c 1200°C温度下,通入包括氢气和氮化氢。8.如权利要求5所述的在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,所述量子阱发光层的材料包括镓铟化氮和氮化镓。9.如权利要求5所述的在衬底上沉积多层材料层的方法,其特征在于,所述P型半导体层的材料包括掺杂镁的氮铝化镓或掺杂镁的氮化镓。10.一种适用于在衬底上沉积多层材料层的化学气相沉积设备,其包括传送腔室、多个生长腔室及多个门阀,所述多个生长腔室分别位于所述传送腔室的外侧,并皆通过所述门阀与所述传送腔室相接通...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁秉文,
申请(专利权)人:光达光电设备科技嘉兴有限公司,
类型:发明
国别省市:
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