控制系统及其控制方法技术方案

本发明专利技术涉及一种控制系统，所述控制系统包括：探测单元，用于探测所述反应腔内的气体信息；参数设定单元，用于基于所述气体信息设定控制参数；控制单元，与所述参数设定单元相连，所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。本发明专利技术还提供了所述控制系统的控制方法，所述控制方法包括：探测单元探测所述反应腔内的气体信息，并输出一气体信息信号；参数设定单元接收所述气体信息信号，根据所述气体信息信号输出一控制参数信号；控制单元接收所述控制参数信号，并根据所述控制参数信号控制加热单元对所述托盘或/和衬底进行加热。本发明专利技术的控制系统可以根据反应腔内微环境的不同，实现对加热单元的精准控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种。
技术介绍
半导体器件的制备需要经过沉积工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺等多个过程。在沉积工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺等工艺中，需要将晶圆(Wafer)放置于可密闭的反应腔(Chamber)中，以对所述晶圆进行工艺处理。在所述反应腔内，温度的控制对所述反应腔内的微环境起着举足轻重的作用，因此，控制反应腔内的温度对工艺处理非常重要。以下以沉积工艺为例具体说明在现有技术中对反应腔内的温度进行控制的方法。现有的沉积工艺通常利用两种或两种以上的源物质发生反应，在衬底上形成相应的沉积材料层，现有技术中沉积设备的反应腔的结构如图1所示。在图1中，在反应腔110内，衬底150放置于托盘140上，进气管路121用于向反应腔110内输送气体，用于将反应气体和/或载体气体提供至衬底150，托盘140下方放置加热单元130，用于对衬底150进行加热，出气管路122用于向反应腔110外排除气体。控制单元161控制所述加热单元130的功率输出，以使得所述托盘140和所述衬底150的温度达到目标温度。在现有技术中，所述控制单元161根据所述托盘140和/或所述衬底15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制系统，用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或/和衬底进行加热，所述控制系统包括：探测单元，用于探测所述反应腔内的气体信息；参数设定单元，用于基于所述气体信息设定控制参数；控制单元，与所述参数设定单元相连，所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。

【技术特征摘要】
1.一种控制系统，用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或/和衬底进行加热，所述控制系统包括: 探测单元，用于探测所述反应腔内的气体信息； 参数设定单元，用于基于所述气体信息设定控制参数； 控制单元，与所述参数设定单元相连，所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。2.如权利要求1所述的控制系统，其特征在于:所述参数设定单元包括: 参数存放单元，用于存放气体信息与控制参数的对应关系； 参数选择单元，分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连，所述参数选择单元基于所述气体信息通过查找所述参数存放单元确定所述控制参数。3.如权利要求1所述的控制系统，其特征在于:所述气体信息包括反应腔内的气体的组分、流量、流速和压力中的一种或几种。4.如权利要求3所述的控制系统，其特征在于:所述半导体加工设备为LED外延片外延设备，所述气体包括氨气和氢气混合气体、氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混合气体。5.如权利要求3所述的控制系统，其特征在于:所述半导体加工设备具有向所述反应腔输送气体的进气管路和排除气体的出气管路，所述探测单元与所述进气管路或出气管路相连，或设置于所述进气管路或出气管路之中，以探测所述气体信息。6.如权利要求1至5中任一项所述的控制系统，其特征在于:所述控制单元为比例-积分-微分控制器，所述控制 参数包括所述比例-积分-微分控制器的比例常数、积分常数和微分常数。7.如权利要求1所述的控制系统，其特征在于:所述半导体加工设备为沉积设备、刻蚀设备或尚子注入设备。8.—种控制方法，用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或/和衬底进行加热，所述控制方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔徽，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：