一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与容积可调节的沉积室相连接。本发明专利技术可提供不同容积的沉积室，能够较好的适应不同体积的待加工器件，沉积室和待加工器件合理的体积比，可以有效的降低沉积反应周期时间，减少劣质膜的生长，降低膜层的颗粒度，提供沉积质量，满足半导体器件到膜层精度的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。
技术介绍
传统的原子层沉积设备只包括一个沉积腔室，如图1所示。在使用原子层沉积设备时，不同体积的器件都是在这个容积固定的腔室中进行沉积反应。对于每个原子层沉积周期来说，原子层沉积处理可沉积出厚度为大约O.1nm的膜，对于绝大部分的半导体应用场合来说，可用的和经济上可行的周期时间必须要能提供厚度介于大约3nm-30nm的膜，并且对于其他应用场合来说甚至要能提供更厚的膜。工业产量标准规定基板应在2分钟至3分钟的时间范围内处理完，这就意味着原子层沉积周期时间必须在大约O. 6秒至6秒的时间范围内。如果待加工器件的体积相对沉积腔室过小的话，则会导致腔室暴露给化学试剂的区域增大，膜的生长发生在接触化学试剂的反应室壁和基板上，而膜在腔室壁上的生长倾向性与反应室壁的表面积成正比，劣质多孔膜沉积物的生长会引起腔室壁表面积增大，表面积的增大又会进一步延长沉积室的记忆效应。记忆效应是由于化学试剂吸附在沉积室壁上并且会在随后的一段时间内逐渐从腔室壁上释放，这种现象往往会增加沉积室中的痕量化学试剂的停留时间，进而增大去除化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备，其特征在于：包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；所述控制部件分别与所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，所述述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与所述容积可调节的沉积室相连接。

【技术特征摘要】
1.一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备，其特征在于包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；所述控制部件分别与所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，所述述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与所述容积可调节的沉积室相连接。2.如权利要求1所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备，其特征在于所述容积可调节的沉积室包括容积不同的第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室；所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室之间通过密封提升头连接，所述各个沉积室均设有独立的基板保持器和加热器。3.如权利要求2所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备，其特征在于当选择所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室其中一个沉积室进行沉积反应时，关闭相应的所述密封提升头，使被选择的沉积室处于密闭状态，另外两个腔室则作为气路系统的一部分；当通入化学试剂和清理气体时，所述密封提升头全部打开，使所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室形成通路。4.如权利要求2所述的沉积室容积可调节的原子层沉积设备，其特征在于所述第一沉积室的容积为所述第二沉积室的O. 6倍，所述第三沉积室的容积为所述第二沉积室的1. 5 倍。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，李勇滔，夏洋，赵章琰，石莎莉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：