形成半导体器件的图案的方法技术

本发明专利技术涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸。该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及制造半导体器件的方法，并且涉及。
技术介绍
由于半导体器件的设计规则的缩小，半导体器件中的图案尺寸也在减小。然而，光刻工艺在实现半导体器件的微小图案方面有分辨率限制。因此，为了形成半导体器件的微小图案正在研究双图案化技术(DPT )。
技术实现思路
可以通过提供一种实现本专利技术的实施例，该方法包括在衬底上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括光致产酸剂(PAG)和光致产碱剂(PBG);通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的PAG产生酸；通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的PBG产生碱，并且中和酸；在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。可以通过分别使用具有线条和间隔图案的第一和第二掩模来执行所述第一曝光和所述第二曝光。所述光致抗蚀剂图案可以形成为另一线条和间隔图案。所述第一掩模和所述第二掩模的间隔图案可以是在执行所述第一曝光和所述第二曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：在衬底上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括光致产酸剂和光致产碱剂；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸；在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。

【技术特征摘要】
2011.10.11 KR 10-2011-01036011.一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括在衬底上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括光致产酸剂和光致产碱剂；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸；在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。2.如权利要求1所述的方法，其中通过分别使用具有线条和间隔图案的第一掩模和第二掩模来执行所述第一曝光和所述第二曝光，所述光致抗蚀剂图案被形成为另一个线条和间隔图案。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一掩模和所述第二掩模的间隔图案是在执行所述第一曝光和所述第二曝光时光穿过的部分。4.如权利要求2所述的方法，其中所述第二掩模的线条图案的宽度大于所述第一掩模的线条图案的宽度，并且所述第二掩模的间隔图案的宽度小于所述第一掩模的间隔图案的览度。5.如权利要求1所述的方法，其中通过使用具有沿着第一方向延伸的线条和间隔图案的第一掩模来执行所述第一曝光，并且通过使用具有沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的线条和间隔图案的第二掩模来执行所述第二曝光，所述光致抗蚀剂图案被形成为接触孔图案。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一曝光被执行为空曝光，在所述空曝光中对在所述衬底上形成的光致抗蚀剂层的整个表面进行曝光，并且通过使用具有接触孔掩模图案的亮场掩模来执行所述第二曝光，所述光致抗蚀剂图案被形成为接触孔图案。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一曝光被执行为空曝光，在所述空曝光中对在所述衬底上形成的所述光致抗蚀剂层的整个表面进行曝光，并且通过使用具有沟槽图案的亮场掩模来执行所述第二曝光，所述光致抗蚀剂图案形成为沟槽图案。8.如权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂层包括正型光致抗蚀剂层。9.如权利要求8所述的方法，其中用于形成所述光致抗蚀剂图案的显影剂是碱显影剂，从而除去其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层。10.如权利要求1所述的方法，其中以第一曝光剂量来执行所述第一曝光，并且以大于所述第一曝光剂量的第二曝光剂量来执行所述第二曝光。11.一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括光致产酸剂和光致产碱剂；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸，并且在所述光致抗蚀剂层的非曝光部分中形成第一光致抗蚀剂图像图通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贞珠，金京美，金珉廷，李东峻，金富得，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：