一种半导体封装铸模装置，包括上模板、与上模板相对设置的下模板以及活塞。所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板。所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口。所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种。
技术介绍
现有半导体封装铸模装置包括设有模穴的上模板、设有活塞口的下模板、活塞以及容置于上模板和下模板之间的基板，基板上设有多个阵列排列的芯片。每个活塞口两侧分别设置一对流道以连接基板，流道之流道口与基板上的上模板相连接。通过挤压活塞所产生的压力，封胶塑料从活塞口经由流道流向流道口而进入上模板之模穴内。当封胶塑料充满模穴后，活塞保持静止并持续一段时间直至封胶塑料硬化。而后，拉动活塞以打开上模 板，取出模制产品。将模制产品之流道及流道口去除后，并切割成单个单元，而完成半导体封装构造。由于封胶塑料系沿基板之边缘的流道口直接注入上模板之模穴内，使得进入模穴内之模流压力分布较不均匀，易产生冲线、气泡及孔洞等缺陷。此外，因封胶塑料于模穴内之路径较长，封胶塑料受热产生化学变化，造成模穴内前后位置封胶塑料性质差异较大，而影响封胶品质，且需要较长的封胶制程周期。
技术实现思路
有鉴于此，需提供一种半导体封装铸模装置，可以平衡封胶流速。本专利技术一种实施方式中的半导体封装铸模装置，包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板以及活塞。所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板。所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。优选地，所述缺口之横截面呈梯形、方形、三角形或者圆弧形。优选地，所述铸模装置设有多个形成于所述活塞口与所述突出部之间的第一流道，所述第一流道与所述活塞口及所述入口相互贯通。优选地，所述凹陷部包括第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部位于所述活塞口和所述突出部之间，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部相互贯通并与所述模具型腔相通。优选地，所述基板设有脱胶层，所述脱胶层嵌合于所述基板内并朝向所述上模板，所述基板设有脱胶层的一端收容于所述第一凹陷部以使所述脱胶层邻近所述突出部。优选地，所述脱胶层包括第一层和第二层，所述第一层由铜制成，所述第二层由氧化铜或者有机保护薄膜制成。优选地，所述脱胶层为单层结构，且由铜制成。本专利技术一种实施方式中的半导体封装铸模方法，包括步骤提供一种基板；提供一种铸模装置，所述铸模装置包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板及活塞，所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置所述基板，所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口 ；紧密夹紧所述上模板及所述下模板以使所述基板位于所述模具型腔内；将封胶沿所述活塞口注入，推挤所述活塞以使所述封胶沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔内，以包覆所述基板；硬化所述封胶；打开所述铸模装置以取出铸模制品。优选地，形成多个第一流道，所述第一流道位于所述活塞口与所述突出部之间，并与所述活塞口及所述入口相互贯通。优选地，所述缺口之横截面呈梯形、方形、三角形或者圆弧形。 相较于现有技术，本专利技术之铸模装置的上模板设有突出部，以使所述突出部与所述下模板之间形成第二流道，并且所述第二流道包括入口、收容腔及出口，收容腔位于入口与出口之间以收容封胶，以平衡封胶之流速，从而减少注胶过程中产生的气洞。另外，本专利技术之脱胶层设置于基板之邻近第二流道的一侧，以控制封胶，使其流动及填充更加均匀。而且，本专利技术之脱胶层采用铜、铜与氧化铜或者铜与有机保护薄膜而制成，以降低制造成本。附图说明图1为本专利技术之半导体封装铸模装置的上视图。图2为沿图1中I1-1I剖线之局部剖面侧视图。图3为本专利技术之脱胶层与基板之结构示意图。图4为本专利技术之铸模装置的结构示意图。图5为图2中V部分的放大图。图6为本专利技术之铸模装置进行封胶制程的示意图。图7为本专利技术之铸模装置应用于半导体封装示意图。主要元件符号说明基板20脱胶层21第一层210第二层212芯片22焊垫23焊脚24焊线25铸模装置40上模板42突出部420第一挡块4200缺口4202第二挡块4204下模板44活塞口440凹陷部442第一凹陷部4420第二凹陷部4422活塞46 第一流道41第二流道43A 口430收容腔432出口434模具型腔45封胶60前进方向A如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施例方式请参照图1和图2，适用于封装的基板20，所述基板20的材质可以为玻璃环氧基树月旨(Flame-retardant epoxy-glass fabric composite resin, FR-4、RF-5)或者双顺丁烯二酸酰亚胺(Bismaleimide Triazine, BT)。所述基板20上设有多个芯片22、多个焊脚24及多根焊线25。所述芯片22上设有多个焊垫23，并通过焊线25连接焊垫23与焊脚24以使芯片22与基板20电性连接。基板20之一侧端设有脱胶层21，所述脱胶层21嵌合于基板20内。在本实施方式中，脱胶层21之外露于基板20的表面并与芯片22所在基板20之表面共面。请参照图3，其中(a)图所示设于基板20上的脱胶层21包括第一层210和第二层212，所述第一层210由铜制成，第二层212由氧化铜或者有机保护薄膜制成，以降低成本。(b)图所示的脱胶层21为单层结构，由铜制成。在其他实施方式中，所述脱胶层21由金或者镍金合金等金属制成。请参照图1及图2，本专利技术之一种实施方式中的铸模装置40用于放置基板20，并包括上模板42、与所述上模板42相对设置的下模板44及活塞46。请参照图4，所述下模板44设有多个活塞口 440及凹陷部442，所述活塞口 440位于所述凹陷部442的侧边以容置所述活塞46，所述凹陷部442之开口朝向上模板42以容置基板20。所述凹陷部442包括第一凹陷部4420和第二凹陷部4422，所述第一凹陷部4420邻近所述活塞口 440，所述第二凹陷部4422与所述第一凹陷部4420相互贯通并远离所述活塞口 440。使用时，基板20收容于凹陷部442中，并使设有脱胶层21的一端收容于第一凹陷部4420以及设有芯片22的一端收容于第二凹陷部4422。所述上模板42设有突出部420，所述突出部420沿所述上模板42朝下模板44之凹陷部442凸出。在本实施方式中，突出部420与所述第二凹陷部4422相对且靠近第一凹陷部4420，也就是说，突出部420靠近基板20之设有脱胶层21的一端。请参照图5，所述突出部420包括第一挡块4200和第二挡块4204，并设有缺口4202，所述缺口 4202位于第一挡块4200与第二挡块4204之间，所述缺口 4202之开口方向与所述凹陷部442相对，以使所述突出部420之朝向所述下模板44的一面形成内凹结构。在本实施方式中，所述缺口 4202位于第二凹陷部4422之上方并邻近所述第一凹陷部4420，其中第一挡块4200位于所述第一凹陷部4420上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装铸模装置，包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板以及活塞，所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板，其特征在于，所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装铸模装置，包括上模板、与所述上模板相对设置的下模板以及活塞，所述下模板设有多个活塞口以容置所述活塞以及开口朝向所述上模板的凹陷部，所述凹陷部与所述上模板共同形成模具型腔以容置基板，其特征在于，所述上模板设朝所述凹陷部凸出且邻近所述活塞口的突出部，所述突出部靠近所述下模板处设有与所述凹陷部相对的缺口，所述缺口之两侧分别形成与所述活塞口及所述模具型腔相通的入口及出口，以使经所述活塞口注入的封胶，沿所述入口、所述缺口以及所述出口注入所述模具型腔，以包覆所述基板。2.如权利要求1所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述缺口之横截面呈梯形、方形、三角形或者圆弧形。3.如权利要求1所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述铸模装置设有多个形成于所述活塞口与所述突出部之间的第一流道，所述第一流道与所述活塞口及所述入口相互贯通。4.如权利要求1所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述凹陷部包括第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部位于所述活塞口和所述突出部之间，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部相互贯通并与所述模具型腔相通。5.如权利要求4所述的半导体封装铸模装置，其特征在于，所述基板设有脱胶层，所述脱胶层嵌合于所述基板内并朝向所述上模板，所述基板设有脱胶层的一端收容于所述第一凹陷部以使所述脱胶层邻近所述突出部。6.如权利要求5所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖俊义，
申请(专利权)人：国碁电子中山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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