多层陶瓷电子元件制造技术

一种多层陶瓷电子元件，包括陶瓷基体及设于所述陶瓷基体两端的外部电极。所述陶瓷基体内埋有与所述外部电极电连接的内部电极。所述陶瓷基体于所述两个外部电极之间的外表面设有突出的阻焊层。本实用新型专利技术提供的多层陶瓷电子元件在封装过程中，所述阻焊层的设置有效避免封胶体与电子元件表面之间形成微小分层。产品在回流焊过程中所述阻焊层能防止电子元件两端融化的锡流动结合为一体，从而避免产品短路，以提高产品性能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多层陶瓷电子元件，尤其涉及一种多层陶瓷电容器件结构。
技术介绍
现有技术中，大多数的模组封装产品都会使用电阻、多层陶瓷电容(Multi-layer Ceramic Chip Capacitor,MLCC)等被动元件。多层陶瓷电子元件因其表面较光滑，封装后， 其上下表面与封胶体之间容易形成微小分层。封装模组在回流焊过程中，多层陶瓷电容的两端的锡会再次融化。若多层陶瓷电容的两端锡量较多，在毛细管力的作用下，融化的锡会顺着所述微小分层流动，从而使得所述多层陶瓷电容的两端的锡连接而造成所述多层陶瓷电容短路，使产品失效。
技术实现思路
有鉴于此，需提供一种多层陶瓷电子元件，可避免模组产品在封装后电子元件与封胶体之间形成微小分层，产品在回流焊过程中能防止电子元件两端的融化的锡流至电子元件与封装体之间，从而可避免电子产品短路，以提高产品性能。本技术提供的多层陶瓷电子元件包括陶瓷基体及设于所述陶瓷基体的两端的外部电极。所述陶瓷基体内埋有与所述外部电极电连接的内部电极。所述陶瓷基体于所述两外部电极之间的外表面设有突出的阻焊层。优选地，所述阻焊层包括多个阻焊条。优选地，所述阻焊条均勻分布于所述陶瓷基体于所述两外部电极之间的外表面。优选地，所述阻焊条错落分布于所述陶瓷基体于所述两外部电极之间的外表面。优选地，所述阻焊层为方形凸块。优选地，所述阻焊层为菱形凸块。优选地，所述阻焊层为圆形凸块。相较于现有技术，本技术提供的多层陶瓷电子元件，通过在所述电子元件的外表面设置阻焊层，所述阻焊层与所述电子元件的表面形成阶梯结构，模组产品在封装过程中，所述阻焊层的设置有效避免封胶体与电子元件表面之间形成微小分层。产品在回流焊过程中所述阻焊层能防止电子元件两端的融化的锡流动结合为一体，从而避免电子产品短路，以提高产品性能。附图说明图1是本技术第一具体实施方式中多层陶瓷电子元件的示意图。图2是图1中多层陶瓷电子元件的截面图。图3是本技术第二具体实施方式中多层陶瓷电子元件的示意图。图4是本技术第三具体实施方式中多层陶瓷电子元件的示意图。主要元件符号说明多层陶瓷电子元件 100陶瓷基体10外表面11外部电极20内部电极13第一内部电极131第二内部电极 132阻焊层30阻焊条31如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。具体实施方式请同时参照图1及图2。本技术提供的多层陶瓷电子元件100包括具有光滑外表面11的陶瓷基体10、设于所述陶瓷基体10两端的外部电极20、内埋于所述陶瓷基体 10内且与所述外部电极20电连接的内部电极13及突设于所述陶瓷基体10于所述两外部电极20之间的外表面11的阻焊层30。阻焊层30与陶瓷基体10的外表面11形成阶梯状。陶瓷基体10内埋有多个与外部电极20连接的内部电极13。内部电极13包括相互交错分布并分别与陶瓷基体10两端的外部电极20连接的多个第一内部电极131及多个第二内部电极132。本实施方式中，所述外部电极20的材料为锡。阻焊层30的材料为绝缘材料。多层陶瓷电子元件100在封装的过程中，由于阻焊层30的设置，且阻焊层30与陶瓷基体10 的外表面11形成阶梯状，使得封胶体与陶瓷基体10的外表面11结合更加紧密，可有效防止封胶体与陶瓷基体10的外表面11形成微小分层，从而可以避免封装好的模组产品在回流焊过程中，两外部电极20融化的锡流入所述微小分层中并结合一体，以防止所述多层陶瓷电子元件100出现短路。当然，即使在封装过程中，陶瓷基体10的外表面11与封胶体之间形成微小分层，当封装后的模组在回流焊过程中，由于阻焊层30突设于所述陶瓷基体10 的外表面11且位于所述两外部电极20之间，能够有效隔开陶瓷基体10的两端的外部电极 20融化的锡，阻止二者结合为一体，从而可以避免所述电子元件100出现短路的现象，提高了产品的性能。本实施方式中，所述多层陶瓷电子元件100为多层陶瓷电容器件。本实施方式中，阻焊层30为方形凸块，在其它实施方式中，阻焊层30亦可以为菱形凸块或圆形凸块等其它形状。请参照图3。作为本技术的进一步改进，阻焊层30包括多个阻焊条31。每一个阻焊条31环绕包围于陶瓷基体10于两外部电极20之间的外表面11。所述阻焊条31的设置使得陶瓷基体10的外表面11形成多层阶梯状，从而可使陶瓷基体10的外表面11与封胶体结合地更加紧密，能有效避免封胶体与陶瓷基体10的外表面11形成微小分层，且能阻挡陶瓷基体10的两外部电极20融化的锡结合为一体，从而可以避免所述电子元件100 出现短路的现象。本实施方式中，所述阻焊条31均勻分布于陶瓷基体10于所述两外部电极20之间的外表面11。在其它实施方式中，所述阻焊条31错落分布于陶瓷基体10于所述两外部电极20之间的外表面11，如图4所示，所述分布方式可节省阻焊层30的使用材料。 本技术提供的多层陶瓷电子元件结构，通过在所述电子元件的表面设置阻焊层，所述阻焊层与所述电子元件的表面形成阶梯结构，模组产品在封装过程中，所述阻焊层的设置可有效避免封胶体与电子元件表面之间形成微小分层。产品在回流焊过程中能防止电子元件的外部电极融化的锡结合为一体，从而可避免电子元件短路，以提高产品性能。权利要求1.一种多层陶瓷电子元件，包括陶瓷基体及设于所述陶瓷基体的两端的外部电极，所述陶瓷基体内埋有与所述外部电极电连接的内部电极，其特征在于所述陶瓷基体于所述两外部电极之间的外表面设有突出的阻焊层。2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述阻焊层包括多个阻焊条。3.如权利要求2所述的多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述阻焊条均勻分布于所述陶瓷基体于所述两外部电极之间的外表面。4.如权利要求2所述的多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述阻焊条错落分布于所述陶瓷基体于所述两外部电极之间的外表面。5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述阻焊层为方形凸块。6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述阻焊层为菱形凸块。7.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述阻焊层为圆形凸块。专利摘要一种多层陶瓷电子元件，包括陶瓷基体及设于所述陶瓷基体两端的外部电极。所述陶瓷基体内埋有与所述外部电极电连接的内部电极。所述陶瓷基体于所述两个外部电极之间的外表面设有突出的阻焊层。本技术提供的多层陶瓷电子元件在封装过程中，所述阻焊层的设置有效避免封胶体与电子元件表面之间形成微小分层。产品在回流焊过程中所述阻焊层能防止电子元件两端融化的锡流动结合为一体，从而避免产品短路，以提高产品性能。文档编号H01G4/002GK202275713SQ20112033988公开日2012年6月13日 申请日期2011年9月9日 优先权日2011年9月9日专利技术者肖俊义 申请人:国碁电子(中山)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖俊义，
申请(专利权)人：国碁电子中山有限公司，
类型：实用新型
国别省市：