【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器阵列中的断裂字线的检测
本专利技术一般涉及诸如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪EEPROM的半导 体存储器电路,更具体地,涉及这样的存储器电路中的有缺陷字线的检测。
技术介绍
能够非易失性存储电荷的固态存储器、特别是被封装为小型规格卡的EEPROM和 快闪EEPROM形式的固态存储器最近成为各种移动和手持设备、特别是信息装置和消费电 子产品中的存储选择。不同于也是固态存储器的RAM (随机存取存储器),快闪存储器是非 易失性的,并且即使在切断电源之后仍保持它所存储的数据。尽管成本更高,但是快闪存储 器正被更多地用于大容量存储应用中。基于诸如硬盘驱动器和软盘的旋转磁介质的传统大 容量存储装置不适合于移动和手持环境。这是因为盘驱动器倾向于体积大,易出现机械故 障,并且具有高等待时间和高功率要求。这些不希望的属性使得基于盘的存储装置在大部 分移动和便携式应用中不实用。另一方面,无论嵌入式还是可移动卡形式这两种的快闪存 储器都由于其小尺寸、低功耗、高速和高可靠性特征而理想地适合于移动和手持环境。EEPROM和电可编程只读存储器(EPROM)是可被擦除并 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.09 US 12/833,1671.一种在具有沿着字线形成的阵列的存储器单元的存储器电路中确定字线是否有缺陷的方法,该方法包括对沿着第一字线的第一多个存储器单元进行编程操作,该编程操作包括一系列交替的编程脉冲和验证操作,当被验证过时,存储器单元各自屏蔽进一步的编程脉冲;以及基于所述第一多个存储器单元的被验证为已编程的第一子集的存储器单元的编程脉冲的数量相对于所述第一多个存储器单元的被验证为已编程的第二子集的存储器单元的编程脉冲的数量,确定第一字线是否有缺陷,其中所述第一子集和所述第二子集每个包含多个存储器单元并且不相同。2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二子集不重叠。3.如权利要求2所述的方法,其中所述第一子集是在第一字线的第一端的存储器单元的多个连续集,并且所述第二子集是在第一字线的另一端的存储器单元的多个连续集。4.如权利要求1所述的方法,其中确定第一字线是否有缺陷包括当第一和第二子集中的第一个验证为已编程时,开始计数器;当第一和第二子集中的第二个验证为已编程时,停止该计数器;以及基于该计数器的值,确定第一字线是否有缺陷。5.如权利要求4所述的方法,其中确定第一字线是否有缺陷包括将该计数器的值与固定值相比较。6.如权利要求1所述的方法,还包括响应于确定第一字线有缺陷,将要编程到第一字线中的数据重新映射到第...
【专利技术属性】
技术研发人员:GS沙,李艳,
申请(专利权)人:桑迪士克科技股份有限公司,
类型:
国别省市:
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