半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法。一种提供紧凑性以及增大的漏极耐压的半导体器件。该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。
技术介绍
在诸如水平功率MISFET的半导体元件的领域中，需要增大漏极耐压。根据当在关断栅极电压的情况下连续向漏电极施加额定电压时，在半导体元件中是否出现特性变化或击穿现象来评价漏极耐压。当向漏电极施加电压时在半导体元件中出现的特性变化或击穿现象是由于施加漏极电压而造成半导体元件中的电场集中引起的。这种电场集中容易出现在栅电极的漏极侧端部下方。例如，通过使用场板电极，可以减少由于施加漏极电压而在半导体元件中出现的电场集中。如下所述的与具有场板电极的半导体器件相关的众多技术是已知的。日本未审查专利公开No. 2011-71307和No. 2004-200248公开了栅电极具有屋檐状的场板部分。日本未审查专利公开No. 2006-253654、平7( 1995)-321312和2008-263140公开了将位于栅电极和漏电极之间的场板电极与源电极耦合。日本未审查专利公开No. 2004-214471公开了独立于栅电极控制位于栅电极和漏电极之间的电场控制电极。
技术实现思路
根据日本未审查专利公开No. 2004-200248,No. 20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅电极，所述栅电极设置在所述半导体衬底上方；源电极，所述源电极设置在所述半导体衬底上方并且与所述栅电极隔开；漏电极，在平面图中，相对于所述栅电极，所述漏电极与所述源电极相对地定位，所述漏电极设置在所述半导体衬底上方并且与所述栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，所述场板电极位于所述栅电极和所述漏电极之间，所述场板电极通过绝缘膜设置在所述半导体衬底上方，并且与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极隔开；以及至少一个场板接触，所述场板接触设置在所述绝缘膜中，将所述场板电极耦合到所述半导体衬底，在平面图中，所述场板电极从所述场板接触至少向着所述源电极或向着所述漏电极...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中圣康，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：