一种晶体管及其制造方法技术

晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管及其制造方法
本专利技术涉及电子器件技术，特别涉及一种晶体管及其制造方法。
技术介绍
在0.5至6太赫兹(THz，即1012赫兹)频率体系，成像和光谱系统在安全、卫生、遥感和基础科学等领域具有重要的应用。太赫兹波在水中具有很强的衰减强度，但对生物组织具有较大的穿透深度，而不会对生物组织造成损害。因此，他们特别适合于涉及透过不透明的物体进行低风险成像的安全应用，比如透过衣服、牙齿、纸张、塑料和陶瓷材料的成像。太赫兹波在卫生应用中也非常理想，比如皮肤癌的早期诊断。因此，近来已经对许多涉及安全、医药、生物分析、用于环境监测的遥感和减轻自然灾害的社会基础应用进行了广泛地研究。凭借其高频率，太赫兹波也同样适用于极限宽带通信。然而，到目前为止，太赫兹频段区域在日常中的应用却非常少。这就导致了“太赫兹空隙”(THzgap)这一表述的出现，它不精确地描述了缺乏足够的技术，来有效地弥合低于1THz的微波频率和高于6THz的光频率之间的频段，特别是，在这个特定的频率范围内缺乏具有有用功率水平的实际源。现在，半导体电子和激光光学元件从各自相反的方向来缩小这个太赫兹空隙。先进的半导体技术，包括硅-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，其特征在于，包含：位于半导体衬底上超薄单晶外延金属硅化物层；形成在所述金属硅化物层上的单晶硅发射极；形成在所述发射极上的基极；和形成在所述基极上的单晶硅集电极；其中，所述晶体管具有集电极更靠近晶体管表面的倒置结构。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包含：位于半导体衬底上单晶外延金属硅化物层；形成在所述金属硅化物层上的单晶硅发射极；形成在所述发射极上的基极；和形成在所述基极上的单晶硅集电极；淀积在所述发射极、基极和集电极之上的绝缘介电层，形成在绝缘介电层内的接触孔；形成在发射极、基极和集电极上对应所述接触孔所在位置的接触区；其中，所述晶体管具有集电极更靠近晶体管表面的倒置结构。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述单晶外延金属硅化物是位于Si衬底上的外延NiSi2膜。3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述单晶外延金属硅化物层厚度小于或者等于10纳米，所述基极具有小于或者等于10纳米的宽度。4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述发射极是碳掺杂的。5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述发射极和所述集电极的厚度均小于或者等于10纳米。6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述发射极、所述基极和所述集电极中至少一个通过至少一个ALE工艺形成。7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述基极包含锗化硅SiGe。8.根据权利要求1所述的晶体管，进一步在所述发射极、所述基极和所述集电极上分别包含金属硅化物接触区；所述金属硅化物接触区具有非常低的45微欧姆·厘米的电阻率。9.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述集电极在载流子输运方向进行应变处理。10.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述集电极为轻掺杂的硅且在上表面有金属硅化物层。11.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述基极进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东平，付超超，张世理，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：