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晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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