【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种在半导体主体中具有延伸的掺杂材料区域的半导体元器件，其掺杂材料浓度有较小的变化。实施施例特别是涉及具有这种掺杂材料区域的功率半导体元器件。另外，本专利技术的实施例还涉及一种用于在半导体中生成这种掺杂材料区域的方法。
技术介绍
所有半导体元器件中都需要位于半导体主体内的掺杂材料区域。对于一些应用来说，需要自身延伸到半导体主体内的深处或自身位于半导体主体内的深处的掺杂材料区域。对此例如IGBT或二极管的场截止区。这种场截止区、即半导体主体内深处的掺杂增多的区域的生成，例如已在DE 102004 047 749 Al中作了描述。 特别是在半导体片直径较小(< 6吋)或厚度大于200 u m时，通常通过扩散来生成场截止区。另外，例如为了生成作为场截止区的n掺杂材料区域，需要使磷原子或硒原子扩散到半导体主体中。此时，通常得出具有高斯分布或在半导体主体中的渗透深度典型地在I y m至30 ii m之间的掺杂材料分布。必须在温度较低时根据半导体片厚度和半导体片直径生成的场截止区通常通过注入质子来生成。此时，为了形成理想的n掺杂的场截止区，通常4...
【技术保护点】
一种半导体元器件，具有：?半导体主体，所述半导体主体具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，?所述半导体主体中的掺杂材料区域，所述掺杂材料区域利用作为施主的氧/空穴?复合体沿着从所述第一侧向所述第二侧的方向经过长度至少为10μm的部段L构成，其中经过所述部段L的所述掺杂材料区域具有在1x1017cm?3至5x1017cm?3的范围中的氧浓度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·奈德哈特，弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德，汉斯约阿希姆·舒尔茨，维尔纳·舒斯特尔德，亚历山大·苏斯蒂，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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