半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，该半导体器件具有第一导电类型半导体衬底（10）、第二导电类型沟道区（13）和第二导电类型减薄区（18）。邻近于半导体衬底（10）的衬底表面（10a）形成沟道区（13）和减薄区（18）。此外，空穴阻挡层（19）形成在每个减薄区（18）中，以将减薄区（18）划分为邻近于衬底表面（10a）的第一部分（18a）和邻近于减薄区（18）的底部的第二部分（18b）。空穴阻挡层（19）的面密度小于或等于4.0×1012cm-2，以使得耗尽层能够穿通空穴阻挡层（19），由此限制击穿特性降低。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及具有绝缘栅极双极晶体管(IGBT)元件的半导体器件。
技术介绍
例如，JP2007-266134A描述了一种具有IGBT元件的半导体器件，该半导体器件用作逆变器等的开关元件。该半导体器件具有形成漂移层的半导体衬底和位于该半导体衬底的前表面的两种类型的局部区域。每个第一类型局部区域均包括P型第一体区、N+型发射极区和P+型第一体接触区。在第一体区的表面层部分形成N+型发射极区和P+型第一体接触区。每个第二类型局部区域具有P型第二体区和空穴阻挡层。形成空穴阻挡层，使得将P型第二体区划分为邻近半导体衬底的前表面的第一部分和邻近第二体区的底部的第二部分。 也就是说，第一体区未形成有空穴阻挡层，而第二体区未形成有发射极区。第一类型局部区域的第一体区作为沟道区，而第二类型局部区域的第二体区作为减薄(thinning-out)区。第一类型局部区域和第二类型局部区域在沿半导体衬底的表面的平面方向上交替布置。这种半导体器件被称为减薄半导体器件。在所描述的半导体器件中，沿半导体衬底的后表面形成集电极层。在这种半导体器件中，由空穴阻挡层积累从集电极层注入的空穴。因此，有可能增加漂移层的空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体衬底（10），其具有衬底表面（10a）；多个第二导电类型沟道区（13），其邻近于所述衬底表面（10a）设置；多个第二导电类型减薄区（18），其邻近于所述衬底表面（10a）设置，在平行于所述衬底表面（10a）的方向上布置所述减薄区（18）和所述沟道区（13），使得至少一个减薄区（18）设置在相邻的沟道区（13）之间；第一导电类型发射极区（14），其设置在每个所述沟道区（13）的表面层部分上；第一导电类型空穴阻挡层（19），其设置在每个所述减薄区（18）中，以将所述减薄区（18）划分为邻近于所述衬底表面（10a）的第一部分（18a）和邻近于所述减薄区（18）...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：都筑幸夫，河野宪司，田边广光，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：