发光二极管封装构造及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管封装构造及其制造方法。所述发光二极管封装构造包含：多个承载座、多个发光二极管芯片以及一透明封装层。相邻两承载座之间具有间隔空间，间隔空间包含相互连通的第一凹部与第二凹部，其中第一凹部填充有反光材料。发光二极管芯片分别设置于承载座上，并通过导线连接。透明封装层设于承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与反光材料。所述反光材料可加强整体结构强度并提高出光效率，解决传统发光二极管基板结构漏光的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管制造方法，特别是有关于一种可提升出光效率的。
技术介绍
在现有的发光二极管(LED)灯具，一般是使用一发光二极管基板作为发光源，再设置于灯壳内，以构成发光二极管灯具。所述发光二极管基板主要是包含一基板以及多个发光二极管芯片。所述发光二极管芯片一般可通过芯片直接封装(Chip OnBoard, COB)工艺设置于所述基板上。在所述芯片直接封装工艺中，所述发光二极管芯片会先粘贴在所述基板上，并通过打线(wire bonding)串接相邻的发光二极管芯片，然后以透明封胶覆盖发光二极管芯片与导线。前述发光二极管芯片一般是成矩阵排列，且相邻的发光二极管芯片的金属承载座之间具有间隔，如此一来，当发光二极管新片发光时，金属承载座之间的间隔将会导致漏光问题发生。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，其在承载座之间进一步设置反光材料，可加强整体结构强度并提高出光效率，解决传统发光二极管基板结构漏光的技术问题。为达到上述目的，本专利技术一实施例提供一种发光二极管封装构造，其包含多个承载座、多个发光二极管芯片及一透明封装层。相邻两所述承载座之间具有一间隔空间，所述间隔空间包含相互连通的一第一凹部与一第二凹部，其中所述第一凹部填充有反光材料。所述多个发光二极管芯片分别设置于所述承载座上，并通过导线连接。所述透明封装层设于所述承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料。本专利技术的另一实施例提供一种发光二极管封装构造的制造方法，其包含下列步骤提供一基底；于所述基底的上表面进行半蚀刻工艺而形成多个第一凹部；填充反光材料于所述第一凹部内；设置一发光二极管芯片于基底的上表面上，并以导线连接相邻的所述发光二极管芯片；设置一透明封装层于所述基底的上表面，以包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料；以及于所述基底的下表面进行半蚀刻工艺，以形成对应连通所述第一凹部的第二凹部。由于发光二极管芯片的承载座之间填充有反光材料，可将散射到承载座之间的光线反射回去，进而提高出光效率，因此，本专利技术可有效解决传统发光二极管基板结构漏光的技术问题。附图说明图I是本专利技术发光二极管封装构造的一实施例的局部剖视图。图2是本专利技术发光二极管封装构造的一实施例的俯视图。图3A 3F是本专利技术发光二极管封装构造的制造方法一实施例的制造流程示意图。 具体实施例方式为让本专利技术上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本专利技术较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参考图I及图2所示，图I是本专利技术发光二极管封装构造的一实施例的局部剖视图。图2是本专利技术发光二极管封装构造的一实施例的俯视图。本专利技术的一实施例提供一种发光二极管封装构造，其包含多个承载座10、一反光材料11、多个发光二极管芯片12、多个荧光粉层13及一透明封装层14。所述多个承载座10例如是呈矩阵式排列。所述多个承载座10可通过蚀刻一金属基底来共同形成，且例如是通过两道半蚀刻工艺来形成。所述金属基底的材料例如为铜或铜合金，且上下表面设有(透过电镀、镀层)镍或金或镍金叠层。因此，每一所述承载座10的材料例如是铜或铜合金，且其上、下表面各设有一第二金属层100，101，而所述第二金属层100，101的材料例如为镍或金或镍金叠层。相邻两承载座10之间具有一间隔空间10a，所述间隔空间IOa包含相互连通的一第一凹部102与一第二凹部103。所述第一凹部102与第二凹部103例如是通过前述的两道半蚀刻工艺来分别形成。所述第一凹部102与第二凹部103各具有一倾斜面，而所述第一凹部102与第二凹部103的倾斜面的交界定义出一尖立而。值得注意的是，所述第一凹部102填充有反光材料11，且所述反光材料11例如是通过孔版印刷工艺填充于所述第一凹部102内。在本实施例中，所述反光材料11的填充高度例如是高于所述承载座10表面。再者，所述反光材料11为具高反射率的材料，例如光敏材料或是添加二氧化钛(TiO2)颗粒的光刻胶材料。所述多个发光二极管芯片12分别设置于所述承载座10上，并且通过导线121连接。在本实施例中，每一所述发光二极管芯片12例如是通过一导热垫120黏设于所述承载座10上，且所述多个发光二极管芯片12随所述承载座10呈矩阵式排列，并且所述导线121电性连接相邻的所述发光二极管芯片12，形成蛇行弯绕状的电性串联(或并联)关系。在其他可能的实施例中，前述的反光材料11的填充高度可与所述发光二极管芯片12的顶面等闻或是超过其顶面。在本实施例中，每一所述发光二极管芯片12的发光面进一步设有荧光粉层13，以调整所述多个发光二极管芯片12的出光颜色。所述荧光粉层13可根据出光颜色的需求进行荧光粉的材料选择，因此并不加以限制。所述透明封装层14设于所述承载座10上方而包覆所述发光二极管芯片12、所述导线121与所述反光材料11，在本实施例中并进一步包覆所述荧光粉层13。所述透明封装层14可以是一透明树脂层。在另一实施方式中，所述透明封装层14可以直接掺杂荧光粉，因此可省略所述荧光粉层13。如图I所示，由于所述承载座10之间进一步在第一凹部102设置了所述反光材料11，通过所述具有高反射率的反光材料11可有效地将散射到承载座10之间的光线反射回去，提高发光二极管封装构造的出光效率，同时所述反光材料11还可加强整体结构强度，提闻广品的可罪度。在本实施例中，所述多个发光二极管芯片12可以为水平式发光二极管芯片，也就是指其P极及N极两个电极是水平分设于芯片的左右两半部。所述导线121用以电性连接于相邻的两发光二极管芯片12的相异电极(未绘示)的顶面，以形成电性连接，例如串联 连接关系。最后再由前后端的发光二极管芯片12连接电源，进而于通电后提供一面光源的照明功能。然而，本专利技术并不限制所述多个发光二极管芯片200的型式及串联方式，其可以是水平式发光二极管芯片或垂直式发光二极管芯片，其可以是电性串联、并联，或是串联与并联的组合，以设计成符合使用者需求的规格。上述垂直式发光二极管芯片则是指其P极及N极两个电极是垂直纵向分设于芯片的上下两半部。本专利技术图I的发光二极管封装构造的制作步骤参照图3A至3F说明如下如图3A所示，提供一基底10’，其中基底10’的上下表面可镀有一图案化的第二金属层 100，101。如图3B所示，于所述基底10’的上表面进行半蚀刻工艺而形成多个基底单元10”，其中相邻基底单元10”之间形成有第一凹部102。如图3C所示，填充反光材料11于所述第一凹部102内，其中所述反光材料11是可通过孔版印刷工艺填充于所述第一凹部102内，且所述反光材料11的填充高度可高于所述基底10’的上表面。如图3D所示，设置一发光二极管芯片12于每一所述基底单元10”上，并以导线121连接(电性串联或并联)相邻的所述发光二极管芯片12，其中每一所述发光二极管芯片12可通过一导热垫120黏设于每一所述基底单元10”上，并且在设置所述发光二极管芯片12于每一所述基底单元10”上的步骤之后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造包含：多个承载座，相邻两所述承载座之间具有一间隔空间，所述间隔空间包含相互连通的一第一凹部与一第二凹部，其中所述第一凹部填充有反光材料；多个发光二极管芯片，分别设置于所述承载座上，并通过导线连接；以及一透明封装层，设于所述承载座上方而包覆所述发光二极管芯片与所述反光材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张效铨，蔡宗岳，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：