发光二极管封装构造制造技术

本实用新型专利技术公开一种发光二级管封装构造。所述发光二极管封装构造包含一承载件、一发光二极管芯片以及一透光胶体。所述承载件具有至少二引脚，所述至少二引脚中的至少一个引脚上具有至少一封胶卡挚结构。所述发光二极管芯片放置于所述承载件的引脚上，且电性连接至所述承载件的引脚。所述透光胶体覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件，连结所述承载件的所有引脚，并填充于所述封胶卡挚结构内。因此，可以降低发光二极管封装构造的制造成本，同时增强所述承载件与所述透光胶体的结合强度，提高产品封装可靠度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种封装构造，特别是有关于一种发光二极管封装构造。
技术介绍
发光二极管即LED (Light Emitting Diode)作为一种新型光源,具有节能、环保、寿命长、启动速度快等诸多传统光源无法比拟的优势。近年来，随着发光二极管芯片技术和封装技术的不断发展，发光二极管也越来越多的被应用于照明及辅助照明领域。然而，所述发光二极管封装构造在实际使用上仍具有下述问题，例如制造成本过高，可靠性低等问题。特别是由于现有的发光二极管封装构造的承载件多采用预先封胶的方式制造，即将金属钉架与不透光的封胶体预先封装，然后再将发光二级管芯片放置在承载件的不透光封胶体的凹穴内，经过电性连接后再一次利用透光胶体将发光二极管芯片封装在承载件的不透光封胶体的凹穴内。而此种方式工艺复杂，且制造成本较高，并且由于两次封装而导致封装胶体之间以及封装胶体与承载件之间的结合性较差，降低了封装的可靠性。故，有必要提供一种封装构造，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种发光二极管封装构造，以解决现有技术所存在的制造成本过高，可靠性低等问题。本技术的主要目的在于提供一种发光二极管封装构造，其可以增强发光二极管承载件与透光胶体之间的结合强度，同时简化封装工艺，降低封装成本。为达成本技术的前述目的，本技术一实施例提供一种发光二极管封装构造，其中所述封装构造包含一承载件、一发光二极管芯片以及一透光胶体。所述承载件具有至少二引脚，所述至少二引脚中的至少一个引脚上具有至少一封胶卡挚结构。所述发光二极管芯片放置于所述承载件的引脚上，且电性连接至所述承载件的引脚。所述透光胶体覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件，连结所述承载件的所有引脚，并填充于所述封胶卡挚结构内。与现有技术相比较，本技术的发光二极管封装构造可以在形成透光胶体的同时连结所述承载件的所有引脚，并填充于所述封胶卡挚结构，使得所述承载件不需预先进行一道不透光封胶的工艺，因此本技术不但可简化封装工艺，降低封装成本，还可以使得承载件与透光胶体的结合性更强，提高了发光二极管封装构造的可靠性。为让本技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图1是本技术一实施例发光二极管封装构造的俯视图。图2是本技术一实施例发光二极管封装构造沿X-X方向的剖视图。图3是本技术一实施例发光二极管封装构造沿Y-Y方向的剖视图。图4是本技术一实施例发光二极管封装构造的承载件的俯视图。图5是本技术一实施例发光二极管封装构造沿Z-Z方向的凹槽1142的局部剖视图以及通孔1141的局部上视图。图6至图7是本技术一实施例发光二极管封装构造的半成品的示意图。图8至图9是本技术又一实施例发光二极管封装构造的半成品的示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。再者，本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」或「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。图1是本技术一实施例发光二极管封装构造的俯视图，图2与图3分别是本技术一实施例发光二极管封装构造沿X-X方向与Y-Y方向的剖视图，图4为本技术一实施例发光二极管封装构造的承载件的俯视图。请同时参照图1至图4所示，本技术一实施例的发光二极管封装构造100主要包含承载件110、发光二级管芯片120、透光胶体130以及导线140。在本实施例中，承载件110包含第一引脚111与第二引脚112，第一引脚111与第二引脚112之间具有一间隙113。承载件110上具有封胶卡挚(mold lock)结构114以及数个锯齿状半蚀刻边缘115。本实施例中的封胶卡挚结构114包含位于第一引脚111上的通孔1141以及位于第二引脚112上的凹槽1142，所说的通孔是指贯穿整个承载件上下表面的结构，所说的凹槽是指不贯穿承载件的任何具有高度低于承载件表面的结构。通常，锯齿状半蚀刻边缘115不受透光胶体130所覆盖。锯齿状半蚀刻边缘115可以减小切割工艺中切割刀的损耗，同时避免在切割过程中承载件110变形。在本实施例中，发光二极管芯片120位于承载件110的芯片放置区域(如第一引脚111)，通过导线140与承载件110电性连接。透光胶体130覆盖发光二极管芯片120、导线140以及承载件110的上表面，连结所述承载件110的所有引脚111、112，并且填入间隙113、通孔1141以及凹槽1142中。第一引脚111与第二引脚112于承载件110的下表面曝露出来作为发光二极管封装构造的端子。由此可以增加透光胶体130与承载件110的结合强度，增加发光二极管封装构造100的可靠性。在本实施例中，第一引脚111概为一 T型结构，第二引脚112概为一 U型结构，第一引脚111伸入第二引脚112中的一区块可用以承载发光二极管芯片120，如此设置可提高承载件110的空间利用率，亦即减小了设置承载件110所需的二维平面尺寸。在其他实施方式中，第二引脚112也可以为一 I型结构。在本实施例中，透光胶体130为一体成型结构，且在发光二极管芯片120的上方形成一半圆球形从而构成一透镜。透光胶体130的材料可以是环氧树脂材料、娃胶材料或其他透光胶材。透光胶体130覆盖发光二极管芯片120、导线140以及承载件110的上表面，连结所述承载件110的所有引脚111、112，并且填入间隙113、通孔1141以及凹槽1142中；必要时，该透光胶体130的各侧表面以及其填入间隙113部份的下表面皆可进一步涂上一层反射层，以减少漏光现像。在本实施例中，封胶卡挚结构114包含通孔1141以及凹槽1142，但是于其他实施方式中，亦可只包含通孔1141或凹槽1142，且并不限于此种结构。同时，封胶卡挚结构114可以位于承载件110与透光胶体130结合的其他任意位置，例如位于承载件110的上表面或者第一引脚111与第二引脚112于间隙113所曝露出的侧面。封胶卡挚结构114可以是一个或者多个，亦可仅位于第一引脚111或第二引脚112其中之一上，例如仅包含一个通孔1141或凹槽1142也可同时包含多个通孔1141或凹槽1142。本实施例中通孔1141或凹槽1142分别位于第一引脚111与第二引脚112上，此种方式可以避免降低承载件的机械强度，但是通孔1141或凹槽1142亦可换位设置。在本实施例中，通孔1141具有一圆形截面，并贯通承载件110的第一引脚111的上下表面，也就是说通孔的截面为平行于承载件UO的上表面的截面，请参考图3中的Z-Z截面。凹槽1142具有一长方形截面，且并未贯通承载件110的第二引脚112的上下表面，也就是说凹槽的截面为垂直于承载件110的上表面的截面，请参考图4中的Z-Z截面。但是于其他实施方式中，通孔1141与凹槽1142分别可以设计为其他几何形状的截面，例如图5是本技术一实施例发光二极管封装构造沿Z-Z方向的凹槽1142的局部剖视图以及通孔1141的局部上视图，其中通孔1141可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造包含：一承载件，具有至少二引脚，所述至少二引脚中的至少一个引脚上具有至少一封胶卡挚结构；一发光二极管芯片，放置于所述承载件的引脚上，且电性连接至所述承载件的引脚；以及一透光胶体，覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件，连结所述承载件的所有引脚，并填充于所述封胶卡挚结构。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装构造，其特征在于所述发光二极管封装构造包含 一承载件，具有至少二引脚，所述至少二引脚中的至少一个引脚上具有至少一封胶卡挚结构； 一发光二极管芯片，放置于所述承载件的引脚上，且电性连接至所述承载件的引脚；以及 一透光胶体，覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件，连结所述承载件的所有引脚，并填充于所述封胶卡挚结构。2.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述至少二引脚各具有至少一封胶卡挚结构。3.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述承载件为一钉架，所述钉架包含一第一引脚与一第二引脚，其中所述发光二极管芯片放置于所述第一引脚上。4.如权利要求3所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述第一引脚为一T型结构，所述第二引脚为一 U型或一 I型结构。5.如权利要求3所述的发光二极管封装构造，其特征在于所述第一引脚与第二引脚之间具有一间隙，所述透光胶体覆盖部分所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：包锋，崔军，项丹，汪虞，陈乾，赵冬冬，黄中朋，郭桂冠，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：