存储器及其形成制造技术

本发明专利技术揭示存储器及其形成。一个此种存储器具有：在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元；在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元；选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线；及在所述第一数据线上方且选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二数据线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说涉及存储器，且特定来说在一个或一个以上实施例中，本专利技术涉及存储器及其形成。
技术介绍
通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。快闪存储器装置已发展成为用于广泛的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。 非易失性存储器是可在不施加电力的情况下将其数据值保持达某一延长周期的存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(有时其称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，所述单元的阈值电压的改变确定每一单元的数据值。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线装置、移动电话及可装卸式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩充。NAND快闪存储器装置是常见类型的快闪存储器装置，如此称谓是因为布置基本存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山·D·唐，尼尚特·辛哈，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：