【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器写操作方法和电路
技术介绍
最小操作供电电压(Vccmin)是现今的处理器的重要参数。降低Vccmin是降低处理器的功耗的有效方式。存储单元(例如在寄存器堆(例如在处理器核心内部)中的那些存储单元)典型地是在降低Vccmin时的限制块。对于存储单元，Vccmin可以是三个分量中的最大值写 Vccmin3|j Vccmin 和保持 Vccmin。图I示出常规8T寄存器堆单元。对于这种单元，写Vccmin可能是这三个中最差的，即需要最高电平。图I的8T (Ml至M8)单元具有由晶体管M1-M4、写访问晶体管M5-M6和读访问晶体管M7-M8形成的存储单元。存在写字线(WffL)和读字线(RDWL)，所述写字线(WWL)用于当数据要(从写位线WRBL、WRBL#)被写入该单元时接通写访问晶体管M5-M6，所述读字线(RDWL)接通访问晶体管M8以基于它是接通还是关断访问晶体管M7来读出该单元中的数据。还包括字线驱动器102 (由反相器P1/N1形成)，用于基于其输入(WLIN)的值来将写字线驱动为高或低。·对于写操作，根据要写入该单元的数据，互补地驱动写位线(WRBL和...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：JP库尔卡尼，MM赫拉，BM郭伊斯肯斯，A雷乔扈里，T卡尼克，VK德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：
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