存储器阵列制造技术

一些实施例包含存储器阵列。所述存储器阵列可具有沿第一水平方向延伸的全局位线、从所述全局位线垂直延伸的垂直局部位线及沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向延伸的字线。所述全局位线可被细分成第一高程水平处的第一系列及不同于所述第一高程水平的第二高程水平处的第二系列。所述第一系列的所述全局位线可与所述第二系列的所述全局位线交替。可存在直接在所述字线与所述垂直局部位线之间的存储器胞材料。所述存储器胞材料可形成通过字线/全局位线组合唯一寻址的多个存储器胞。一些实施例包含具有约2F2的面积的交叉点存储器胞单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术揭示存储器阵列。
技术介绍
存储器阵列用于将存储器胞紧密地包装于集成电路内。特别适合于紧密包装的一种类型的存储器为交叉点存储器。存储器阵列可包括沿第一方向延伸的多个字线及正交于所述字线延伸的多个位线。交叉点存储器可利用形成于跨越阵列的位线与字线的相交点处的存储器胞材料。所述存储器胞材料可为相变材料，例如硫属化合物。实例性硫属化合物为锗、锑及碲的合金。除存储器胞材料以外，个别存储器胞还可包括存取装置，所述存取装置限制到所述存储器胞材料的电流直到跨越所述存储器胞材料及所述存取装置的电压差达到预定阈值。所述存取装置可为非线性电子装置。具体来说，所述存取装置可为如下的电子装置处于高电阻状态中直到电压差达到预定值，届时所述电子装置变换到导电状态。实例性存取装置为二极管及双向阈值开关。图I到3中展示实例性现有技术交叉点存储器阵列5 ;其中图I是俯视图，且其中图2及3是横截面侧视图。如本专利技术中的所有其它横截面图一样，图2及3的横截面图仅展示横截面平面内的特征。为简化图式，所述横截面图不展示横截面平面后的材料。图I的俯视图展示存储器阵列包括沿第一水平方向延伸的多个全局位线10到14，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘增涛，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：