存储器阵列制造技术

一些实施例包含存储器阵列。所述存储器阵列可具有沿第一水平方向延伸的全局位线、从所述全局位线垂直延伸的垂直局部位线及沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向延伸的字线。所述全局位线可被细分成第一高程水平处的第一系列及不同于所述第一高程水平的第二高程水平处的第二系列。所述第一系列的所述全局位线可与所述第二系列的所述全局位线交替。可存在直接在所述字线与所述垂直局部位线之间的存储器胞材料。所述存储器胞材料可形成通过字线/全局位线组合唯一寻址的多个存储器胞。一些实施例包含具有约2F2的面积的交叉点存储器胞单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术揭示存储器阵列。
技术介绍
存储器阵列用于将存储器胞紧密地包装于集成电路内。特别适合于紧密包装的一种类型的存储器为交叉点存储器。存储器阵列可包括沿第一方向延伸的多个字线及正交于所述字线延伸的多个位线。交叉点存储器可利用形成于跨越阵列的位线与字线的相交点处的存储器胞材料。所述存储器胞材料可为相变材料，例如硫属化合物。实例性硫属化合物为锗、锑及碲的合金。除存储器胞材料以外，个别存储器胞还可包括存取装置，所述存取装置限制到所述存储器胞材料的电流直到跨越所述存储器胞材料及所述存取装置的电压差达到预定阈值。所述存取装置可为非线性电子装置。具体来说，所述存取装置可为如下的电子装置处于高电阻状态中直到电压差达到预定值，届时所述电子装置变换到导电状态。实例性存取装置为二极管及双向阈值开关。图I到3中展示实例性现有技术交叉点存储器阵列5 ;其中图I是俯视图，且其中图2及3是横截面侧视图。如本专利技术中的所有其它横截面图一样，图2及3的横截面图仅展示横截面平面内的特征。为简化图式，所述横截面图不展示横截面平面后的材料。图I的俯视图展示存储器阵列包括沿第一水平方向延伸的多个全局位线10到14，且包括正交于所述全局位线延伸的多个字线20到25。图2的横截面侧视图展示图I的字线实际上为字线堆叠的顶部系列，其中图2展示两个下伏字线系列。所述下伏系列中的一者内的字线标示为字线20a到25a，且所述下伏系列中的另一者中的字线标示为字线20b到 25b ο图2的横截面图中展示18个字线(20到25，20a到25a及20b到25b)。所述18个字线形成具有含3个字线的若干列及含6个字线的若干行的二维字线阵列。图I到3展示垂直位线柱30到44从全局位线向上延伸。所述位线柱延伸穿过所述字线阵列且在此字线阵列的所述列中的一些列之间。所述字线、位线及垂直位线柱包括导电材料，例如(举例来说)各种金属、含金属组合物及经导电掺杂半导体材料中的一者或一者以上。存储器胞材料45 (仅标示其中一些存储器胞材料)提供于字线与垂直位线柱之间；且存取装置46(仅标示其中一些存取装置)提供于字线与垂直位线柱之间。提供于字线与垂直位线柱之间的存储器胞材料与存取装置共用形成存储器胞47 (仅标示其中一些存储器胞)。尽管所述存储器胞材料展示为单一同质组合物，但在一些应用中其可包括多种离散组合物。此外，尽管所述存取装置展示为包括单一同质组合物，但所述存取装置可包括众多离散组合物，且通常确实包括两种或两种以上不同材料。此外，尽管每一存储器胞中展示仅单一存取装置，但个别存储器胞中可存在多个存取装置。此外，尽管所述存储器胞材料展示为直接邻近所述垂直位线柱，且所述存取装置展示为直接邻近所述字线，但所述存储器胞材料与所述存取装置的相对定向可为相反的。在操作中，每一个别存储器胞可通过全局位线与字线的组合唯一寻址。举例来说，可利用全局位线12与字线20之间的电压差来存取位于其中字线20交叉垂直位线柱36的相交点处的存储器胞。此存取可用于通过将存储器胞放置于特定数据存储状态中而向所述存储器胞写入，且用于通过确定所述存储器胞处于哪一数据存储状态中而从所述存储器胞读取。可将图2的二维字线阵列内的字线视为布置于多个高程平面50到52中，且因此可将图I的俯视图视为展示所述字线阵列的最上部高程平面52。可将存储器阵列视为还包括高程平面50到52，且可将存储器阵列的每一存储器单元视为具有沿含有此存储器单元的高程平面的面积。可就用来形成存储器阵列的最小特征大小F来陈述所述面积。如果将存储器阵列制造为其绝对最小尺寸，那么此最小特征大小将为位线的宽度、字线的宽度、垂直位线柱的宽度及位线与字线之间的空间的宽度。图I的俯视图展示围绕存储器单元中的一者的正方形外围。此外围具有为尺寸2F的侧，且因此所述存储器单元具有沿高程平面52的约4F2的面积。将所述面积称为“约4F2”，而非称为绝对4F2，因为所图解说明的外围假设存储器胞材料45及存取装置46为可忽略不计的大小。由于存储器胞材料45与存取装置46具有某一物理尺寸，因此所述存储器单元胞的平面面积将接近4F2，但将并非绝对数学意义上的4F2。或者，在其中忽略存储器胞材料及存取装置的上下文中，可将每一存储器胞单元的平面面积视为4F2 ;或换句话说，相对于每一存储器胞单元所消耗的字线、位线及空间，可将所述平面面积视为4F
技术实现思路
附图说明图I到3是现有技术存储器阵列的部分的示意图。图I是所述阵列的俯视图，且图2及3是分别沿图I的线2-2及3-3的示意性横截面侧视图。图4到6是实例性实施例存储器阵列的部分的示意图。图4是所述阵列的俯视图，且图5及6是分别沿图4的线5-5及6-6的示意性横截面侧视图。图7是类似于图4到6的所述存储器阵列的存储器阵列的三维视图。图8是类似于图5的所述示意性横截面图的示意性横截面图，且展示另一实例性实施例存储器阵列。图9是另一实例性实施例存储器阵列的三维视图。图10是另一实例性实施例存储器阵列的三维视图。具体实施例方式一些实施例包含其中交叉点存储器胞可比借助常规存储器阵列实现的交叉点存储器胞更紧密包装的新存储器阵列。参考图4到10描述实例性实施例。·图4到6中展示实例性实施例存储器阵列100。图4的俯视图展示存储器阵列100包括沿第一水平方向延伸的多个全局位线110到118，且包括正交于所述全局位线延伸的多个字线120到125。图5的横截面侧视图展示图4的字线实际上为字线堆叠的顶部系列，其中图5展示两个下伏字线系列；其中所述系列中的一者内的字线标示为字线120a到125a，且其中另一系列中的字线标示为字线120b到125b。因此，图5的横截面图中展示18个字线。所述18个字线形成具有含3个字线的若干列及含6个字线的若干行的二维字线阵列。所述二维字线阵列为各种各样的不同二维字线阵列的一个实例。此些字线阵列通常将在所述阵列的每一行中具有至少两个字线，且在所述阵列的每一列中具有至少两个字线。图4到6展示垂直位线柱160到182从全局位线向上延伸。所述位线柱延伸穿过所述字线阵列且在此字线阵列的邻近列之间。所述字线、位线及垂直位线柱包括导电材料，例如(举例来说)各种金属、含金属组合物及经导电掺杂半导体材料中的一者或一者以上。存储器胞材料45 (仅标示其中一些存储器胞材料)提供于字线与垂直位线柱之间；且存取装置46 (仅标示其中一些存取装置)提供于字线与垂直位线柱之间。提供于字线与垂直位线柱之间的存储器胞材料与存取装置共用形成存储器胞47(仅标示其中一些存储器胞)。图4到6的实例性实施例的存储器胞材料45及存取装置46可与上文在“
技术介绍
”章节中所描述的现有技术的存储器胞材料45及存取装置46相同。尽管所述存储器胞材料展示为单一同质组合物，但在一些应用中其可包括多种离散组合物。此外，尽管所述存取装置展示为包括单一同质组合物，但所述存取装置可包括众多离散组合物，且通常确实包括两种或两种以上不同材料。此外，尽管每一存储器胞中展示仅单一存取装置，但在个别存储器胞中可存在多个存取装置。此外，尽管所述存储器胞材料展示为邻近于所述垂直位线柱，且所述存取装置展示为邻近于所述字线，但所述存储器胞材料与所述存取装置的相对定向可颠倒。图6的横截面图展示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘增涛，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：